Технічний опис 2N3767 MOT
Description: TRANS NPN 80V 500UA TO66, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-213AA, TO-66-2, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 500µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V, Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 µA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 25 W.
Інші пропозиції 2N3767
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
2N3767 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
товар відсутній |
||
2N3767 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
товар відсутній |
||
2N3767 | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray |
товар відсутній |
||
2N3767 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 80V 500UA TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 µA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W |
товар відсутній |
||
2N3767 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 80V 4A NPN Power BJT THT |
товар відсутній |