Технічний опис 2N3719 Microsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A TO5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 1.5V, Frequency - Transition: 60MHz, Supplier Device Package: TO-5AA, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 6 W.
Інші пропозиції 2N3719
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3719 | Виробник : MOT |
 CAN |
на замовлення 495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| 2N3719 | Виробник : MOTOROLA |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
2N3719 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag |
товар відсутній |
|
 |
2N3719 | Виробник : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 40V 3A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag |
товар відсутній |
|
 |
2N3719 | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 40V 3A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 1.5V Frequency - Transition: 60MHz Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 6 W |
товар відсутній |