![2N3716 2N3716](https://www.mouser.com/images/microsemi/lrg/TO_18_3_SPL.jpg)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4436.56 грн |
500+ | 4060.87 грн |
5000+ | 3530.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N3716 Microchip Technology
Description: NPN POWER SILICON TRANSISTORS, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V, Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3), Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 5 W.
Інші пропозиції 2N3716
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
2N3716 | Виробник : MOTOROLA |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
2N3716 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
2N3716 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
2N3716 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 85.7W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 85.7W Case: TO3 Current gain: 5...150 Mounting: THT Kind of package: bulk кількість в упаковці: 100 шт |
товар відсутній |
|
|
2N3716 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 5 W |
товар відсутній |
|
![]() |
2N3716 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 85.7W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 85.7W Case: TO3 Current gain: 5...150 Mounting: THT Kind of package: bulk |
товар відсутній |