Технічний опис 2N3497 MOTOROLA
Description: SMALL-SIGNAL BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Power - Max: 400mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA), Part Status: Active.
Інші пропозиції 2N3497
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
2N3497 | Виробник : MOT | CAN |
на замовлення 853 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
2N3497 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
|
2N3497 | Виробник : Microchip Technology |
Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 400mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active |
товар відсутній |
|
2N3497 | Виробник : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
товар відсутній |