2N2907A
  • 2N2907A
  • 2N2907A

2N2907A DIOTEC SEMICONDUCTOR


2n2907a.pdf Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 625mW; TO92
Mounting: THT
Current gain: 300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Case: TO92
Collector-emitter voltage: 60V
на замовлення 4675 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+2.85 грн
225+ 1.67 грн
500+ 1.32 грн
825+ 1.01 грн
2250+ 0.95 грн
Мінімальне замовлення: 150
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2N2907A DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MULTICOMP PRO - 2N2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 400 mW, TO-18, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: TO-18, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2N2907A за ціною від 0.93 грн до 267.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2N2907A
+1
2N2907A Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n2907a.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 625mW; TO92
Mounting: THT
Current gain: 300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Case: TO92
Collector-emitter voltage: 60V
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+3.42 грн
150+ 2.08 грн
500+ 1.58 грн
825+ 1.21 грн
2250+ 1.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N2907A 2N2907A Виробник : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
630+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 630
2N2907A 2N2907A Виробник : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+0.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N2907A 2N2907A Виробник : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 2739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
337+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 337
2N2907A 2N2907A Виробник : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N2907A 2N2907A Виробник : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf 2N2907A.pdf 2N2907-2N2907A.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 60V, 600mA, PNP
на замовлення 8146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+11.04 грн
40+ 7.85 грн
100+ 3.72 грн
500+ 3.11 грн
1000+ 2.16 грн
4000+ 2.1 грн
8000+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 29
2N2907A 2N2907A Виробник : Lumimax Optoelectronic Technology 2N2907A.pdf Description: TRANS PNP EBC -0.6A 60V TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 78 @ 100µA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+19.1 грн
50+ 15.76 грн
100+ 13 грн
200+ 10.48 грн
500+ 9.24 грн
1000+ 7.7 грн
2000+ 5.21 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N2907A 2N2907A Виробник : CDIL 2n2907a.pdf 2N2907A.pdf 2N2907-2N2907A.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18
Mounting: THT
Current gain: 50...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.4/1.8W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO18
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 60V
на замовлення 7591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+61.42 грн
10+ 35.49 грн
25+ 21.27 грн
52+ 15.84 грн
142+ 15 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N2907A 2N2907A Виробник : CDIL 2n2907a.pdf 2N2907A.pdf 2N2907-2N2907A.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18
Mounting: THT
Current gain: 50...300
Collector current: 0.6A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.4/1.8W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Case: TO18
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7591 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.71 грн
6+ 44.23 грн
25+ 25.52 грн
52+ 19.01 грн
142+ 18 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N2907A 2N2907A Виробник : MULTICOMP PRO 2861178.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N2907A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 400 mW, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+98.58 грн
10+ 78.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N2907A 2N2907A Виробник : Good-Ark Semiconductor 2N2907-2N2907A.pdf Description: TRANSISTOR, PNP, -60V, -0.60A, T
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.36 грн
10+ 105.55 грн
100+ 84.06 грн
500+ 66.75 грн
1000+ 56.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N2907A 2N2907A Виробник : Microchip Technology LDS_0059-1593948.pdf Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
на замовлення 3314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+267.36 грн
500+ 243.33 грн
5000+ 210.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N2907A 2N2907A Виробник : Diotec Electronics 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N2907A 2N2907A Виробник : Diotec Electronics 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N2907A 2N2907A Виробник : Diotec Electronics 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N2907A Виробник : DIOTEC 2n2907a.pdf 2N2907A.pdf 2N2907-2N2907A.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 2N2907A DIOTEC T2N2907a DIOTEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 300
2N2907A Виробник : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf Description: BJT TO92 60V 600MA PNP 0.625W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+10.97 грн
30+ 9.58 грн
31+ 9.13 грн
100+ 4.89 грн
250+ 3.63 грн
500+ 3.01 грн
1000+ 2.02 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N2907A Виробник : CDIL 2n2907a.pdf 2N2907A.pdf 2N2907-2N2907A.pdf PNP 600mA 60V 400mW 200MHz 2N2907A T2N2907a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 50
2N2907A Виробник : Rectron Rectron_04012022_2N2906A_7A-2935839.pdf Bipolar Transistors - BJT TO-18
на замовлення 11092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.66 грн
10+ 57.29 грн
100+ 38.73 грн
500+ 32.85 грн
1000+ 26.77 грн
2500+ 26.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N2907A Виробник : MICROSEMI 2n2907a.pdf 2N2907A.pdf 2N2907-2N2907A.pdf TO18/PNP TRANSISTOR 2N2907
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N2907A 2N2907A Виробник : Microchip Technology 2n2907a.pdf 2N2907A.pdf 2N2907-2N2907A.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній
2N2907A 2N2907A Виробник : STMicroelectronics CD00003088-491103.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
товар відсутній
2N2907A Виробник : onsemi 2n2907a.pdf 2N2907A.pdf 2N2907-2N2907A.pdf Array
товар відсутній
2N2907A Виробник : Toshiba 2n2907a.pdf 2N2907A.pdf 2N2907-2N2907A.pdf Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N2907A 2N2907A Виробник : Semelab / TT Electronics SEMES07195_1-2565244.pdf Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N2907A 2N2907A Виробник : Microchip Technology lds-0059.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N2907A Виробник : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf Description: BJT TO92 60V 600MA PNP 0.625W
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N2907A 2N2907A Виробник : STMicroelectronics 3301cd00003088.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N2907A 2N2907A Виробник : Microchip Technology lds-0059.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N2907A 2N2907A Виробник : Semelab 2n2907a_iss2.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18
товар відсутній
2N2907A 2N2907A Виробник : Optek Technology 2n2907a_iss2.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18
товар відсутній
2N2907A 2N2907A Виробник : STMicroelectronics 3301cd00003088.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N2907A 2N2907A Виробник : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N2907A 2N2907A Виробник : Rectron 82n2906a.pdf Trans RF BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N2907A 2N2907A Виробник : Rectron 82n2906a.pdf Trans RF BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N2907A 2N2907A Виробник : Semelab (TT electronics) 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin TO-18
товар відсутній
2N2907A 2N2907A Виробник : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N2907A 2N2907A Виробник : Diotec Semiconductor 2n2907a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N2907A 2N2907A Виробник : Microchip Technology lds-0059.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N2907A 2N2907A Виробник : Central Semiconductor 2n2906_7.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.4W; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO18
Current gain: 30...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
товар відсутній