![2N2219A 2N2219A](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/71/5C/80/00/0/574743_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=0619b79cdcb84ff04fa62e809d156afc69dd0957)
2N2219A CDIL
![2n2218a_19a.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.8/3W
Case: TO39
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 300MHz
Noise Figure: 4dB
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 68.8 грн |
9+ | 45.17 грн |
25+ | 27.11 грн |
41+ | 21.1 грн |
113+ | 19.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N2219A CDIL
Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2N2219A за ціною від 23.98 грн до 744.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N2219A | Виробник : CDIL |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.8/3W Case: TO39 Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 300MHz Noise Figure: 4dB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
2N2219A | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 1529 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 800 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||
2N2219A | Виробник : onsemi |
![]() ![]() ![]() ![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : Semelab / TT Electronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : Rectron |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
2N2219A | Виробник : MICROSEMI |
![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 800 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : Semelab |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : Semelab (TT electronics) |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : Rectron |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : Rectron |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
2N2219A | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 800mA; 800mW; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.8A Power: 0.8W Case: TO39 Mounting: THT Frequency: 250MHz |
товар відсутній |