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2EDS8265HXUMA3 INFINEON
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Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA3 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: WSOIC
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
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100+ | 187.2 грн |
250+ | 177.74 грн |
500+ | 159.49 грн |
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Технічний опис 2EDS8265HXUMA3 INFINEON
Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA3 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, Halbbrücke, MOSFET, 16 Pin(s), WSOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 8A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: WSOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 37ns, Ausgabeverzögerung: 37ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2EDS8265HXUMA3 за ціною від 125.11 грн до 331.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
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2EDS8265HXUMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
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на замовлення 2736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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2EDS8265HXUMA3 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 37ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2EDS8265HXUMA3 | Виробник : Infineon Technologies | 2EDS8265HXUMA3 |
товар відсутній |
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2EDS8265HXUMA3 | Виробник : Infineon Technologies | SP005634862 |
товар відсутній |
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2EDS8265HXUMA3 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-DSO-16-30 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |