2EDS8165HXUMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-DSO-16-30
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 104.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2EDS8165HXUMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 2EDS8165HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Channels, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1A, Versorgungsspannung, min.: 3V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: WSOIC, Gate-Treiber: Isoliert, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 37ns, Ausgabeverzögerung: 35ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2EDS8165HXUMA2 за ціною від 103.43 грн до 258.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2EDS8165HXUMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDS8165HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSOIC Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2EDS8165HXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: PG-DSO-16-30 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2EDS8165HXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers DRIVER IC |
на замовлення 861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2EDS8165HXUMA2 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - 2EDS8165HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 37ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2EDS8165HXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Fast, Robust, Dual-Channel, Functional and Reinforced Isolated MOSFET Gate-Driver with Accurate and Stable Timing |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| 2EDS8165HXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Fast, Robust, Dual-Channel, Functional and Reinforced Isolated MOSFET Gate-Driver with Accurate and Stable Timing |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| 2EDS8165HXUMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Fast, Robust, Dual-Channel, Functional and Reinforced Isolated MOSFET Gate-Driver with Accurate and Stable Timing |
товар відсутній |