на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 281.68 грн |
| 10+ | 178.95 грн |
| 100+ | 124.91 грн |
| 250+ | 117.23 грн |
| 500+ | 91.41 грн |
| 1000+ | 78.85 грн |
| 3000+ | 76.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2ED2778S01GXTMA1 Infineon Technologies
Description: 2ED2778S01GXTMA1, Packaging: Box, Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA), Voltage - Supply: 7V ~ 18V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 140 V, Supplier Device Package: PG-VSON-10-5, Rise / Fall Time (Typ): 24ns, 12ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V, Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A.
Інші пропозиції 2ED2778S01GXTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 2ED2778S01GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: 2ED2778S01GXTMA1 Packaging: Box Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 7V ~ 18V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 140 V Supplier Device Package: PG-VSON-10-5 Rise / Fall Time (Typ): 24ns, 12ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A |
товару немає в наявності |