2ED2109S06FXUMA1

2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies


Infineon-2ED2109-4-S06F-J-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7493e29eb Виробник: Infineon Technologies
Description: IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2ED2109S06FXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 700mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 740ns, Ausgabeverzögerung: 200ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2ED2109S06FXUMA1 за ціною від 43.14 грн до 154.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 Виробник : INFINEON Infineon-2ED2109-4-S06F-J-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7493e29eb Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+80.71 грн
12+ 66.47 грн
50+ 61.48 грн
100+ 52.46 грн
250+ 46.53 грн
500+ 43.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_2ED2109_4_S06F_J_DataSheet_v02_32_EN-3360494.pdf Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
на замовлення 8630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.53 грн
10+ 79.98 грн
100+ 62.92 грн
250+ 60.52 грн
500+ 56.08 грн
1000+ 51.42 грн
2500+ 49.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 Виробник : INFINEON 2876193.pdf Description: INFINEON - 2ED2109S06FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 700mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 740ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+92.58 грн
500+ 74.95 грн
1000+ 57.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-2ED2109-4-S06F-J-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7493e29eb Description: IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-53
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 35ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.03 грн
10+ 102.87 грн
25+ 97.02 грн
100+ 77.58 грн
250+ 72.85 грн
500+ 63.74 грн
1000+ 51.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
2ED2109S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
121+101.53 грн
139+ 88.12 грн
141+ 87.24 грн
149+ 79.16 грн
250+ 72.56 грн
500+ 68.85 грн
Мінімальне замовлення: 121
2ED2109S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
103+119.39 грн
107+ 115.33 грн
250+ 111.83 грн
500+ 104.91 грн
1000+ 94.76 грн
Мінімальне замовлення: 103
2ED2109S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+154.9 грн
10+ 132.23 грн
100+ 105.78 грн
500+ 88.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
2ED2109S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
товар відсутній
2ED2109S06FXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-2ed2109-4-s06f-j-datasheet-v02_32-en.pdf 650 V Half Bridge Gate Driver With Integrated Bootstrap Diode
товар відсутній
2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2ED2109-4-S06F-J-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7493e29eb Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.29A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 650V
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
2ED2109S06FXUMA1 2ED2109S06FXUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2ED2109-4-S06F-J-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7493e29eb Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.29A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 650V
Protection: undervoltage UVP
товар відсутній