2DC4617QLP-7B

2DC4617QLP-7B Diodes Zetex


644ds31439.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R
на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2DC4617QLP-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - 2DC4617QLP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції 2DC4617QLP-7B за ціною від 1.77 грн до 16.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2DC4617QLP-7B 2DC4617QLP-7B Виробник : Diodes Incorporated ds31439.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.29 грн
30000+ 1.99 грн
50000+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2DC4617QLP-7B 2DC4617QLP-7B Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0001022219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DC4617QLP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.88 грн
1000+ 3.89 грн
5000+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
2DC4617QLP-7B 2DC4617QLP-7B Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0001022219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DC4617QLP-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
93+8.6 грн
120+ 6.69 грн
134+ 5.97 грн
500+ 4.88 грн
1000+ 3.89 грн
5000+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 93
2DC4617QLP-7B 2DC4617QLP-7B Виробник : Diodes Incorporated ds31439.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 66557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+16.12 грн
21+ 14.49 грн
100+ 7.9 грн
500+ 4.56 грн
1000+ 3.11 грн
2000+ 2.64 грн
5000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
2DC4617QLP-7B 2DC4617QLP-7B Виробник : Diodes Inc 644ds31439.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
2DC4617QLP-7B 2DC4617QLP-7B Виробник : Diodes Zetex 644ds31439.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
2DC4617QLP-7B 2DC4617QLP-7B Виробник : Diodes Zetex 644ds31439.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
2DC4617QLP-7B 2DC4617QLP-7B Виробник : Diodes Incorporated ds31439.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K
товару немає в наявності