1SS403,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.25 грн |
6000+ | 3.79 грн |
9000+ | 3.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1SS403,H3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA USC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-76, SOD-323, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Supplier Device Package: USC, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V.
Інші пропозиції 1SS403,H3F за ціною від 2.96 грн до 26.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1SS403,H3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE GEN PURP 200V 100MA USC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-76, SOD-323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: USC Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 10538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1SS403,H3F | Виробник : Toshiba | Diodes - General Purpose, Power, Switching IFM=300mA Automotive; AEC-Q |
на замовлення 30744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1SS403,H3F | Виробник : Toshiba | Rectifier Diode Switching Si 250V 0.1A 60ns Automotive AEC-Q101 2-Pin USC T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
1SS403,H3F | Виробник : Toshiba | Rectifier Diode Switching Si 250V 0.1A 60ns Automotive AEC-Q101 2-Pin USC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1SS403,H3F | Виробник : Toshiba | Rectifier Diode Switching Si 250V 0.1A 60ns Automotive AEC-Q101 2-Pin USC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1SS403,H3F | Виробник : Toshiba | Rectifier Diode Switching Si 250V 0.1A 60ns Automotive 2-Pin USC T/R |
товар відсутній |