1SS360,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1SS360,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 1SS360,LJ(CT - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-416, Durchlassstoßstrom: 2A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.2V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 1SS360,LJ(CT за ціною від 1.69 грн до 16.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1SS360,LJ(CT | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS360,LJ(CT - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1SS360,LJ(CT | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS360,LJ(CT - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Anode, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-416 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1SS360,LJ(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: SSM Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
на замовлення 6834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1SS360,LJ(CT | Виробник : Toshiba |
Diodes - General Purpose, Power, Switching SWITCHING DIODE |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1SS360,LJ(CT | Виробник : Toshiba |
Rectifier Diode Switching Si 85V 0.1A 4ns 3-Pin SSM T/R |
на замовлення 1240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |