![1N914 1N914](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/6/25/8/7/9/336383/ons_/manual/dioad836w47l420d200_mco_p.step.jpg)
1N914 ON Semiconductor
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 0.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N914 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 1N914 - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH), Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N914, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 1N914 за ціною від 0.42 грн до 99.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N914 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V |
на замовлення 89000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 68473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V |
на замовлення 49583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() ![]() ![]() Description: Diode: switching; THT; 100V; 400mA; bulk; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.4A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 4pF Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 50µA Kind of package: bulk |
на замовлення 9698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 63544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 75mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35 Glass) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V |
на замовлення 16567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() ![]() ![]() Description: Diode: switching; THT; 100V; 400mA; bulk; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.4A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 4pF Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 50µA Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9698 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH) Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N914 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 49714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 1519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 1519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
1N914 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 20 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 50 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 75 V |
на замовлення 3213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 1133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
1N914 | Виробник : NTE Electronics, Inc. |
![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 75mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35 Glass) Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 Код товару: 56165 |
![]() ![]() ![]() ![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||||||
1N914 | Виробник : MICROSEMI |
![]() ![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : CDIL |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 75mA; Ammo Pack; Ifsm: 500mA; DO35 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 75mA Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Capacitance: 2.5pF Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. load current: 225mA Max. forward impulse current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : EIC |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : EIC |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : Good-Ark |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N914 | Виробник : CDIL |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 75mA; Ammo Pack; Ifsm: 500mA; DO35 Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 75mA Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Capacitance: 2.5pF Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. load current: 225mA Max. forward impulse current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Kind of package: Ammo Pack |
товар відсутній |