на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1377.16 грн |
| 200+ | 1260.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N6628US/TR Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 2.3A D-5B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SQ-MELF, E, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 45 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2.3A, Supplier Device Package: D-5B, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V.
Інші пропозиції 1N6628US/TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
1N6628US/TR | Виробник : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Switching 600V 1.75A 45ns 2-Pin E-MELF T/R |
товар відсутній |
|
 |
1N6628US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 600V 1.75A 45ns 2-Pin E-MELF T/R |
товар відсутній |
|
 |
1N6628US/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 600V 2.3A D-5B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.3A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V |
товар відсутній |