1N6484-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 5926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 9.02 грн |
| 3000+ | 8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N6484-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції 1N6484-E3/96 за ціною від 10.31 грн до 64.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1N6484-E3/96 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 5926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N6484-E3/96 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt |
на замовлення 23333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N6484-E3/96 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; DO213AB; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 8pF Case: DO213AB Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 0.2mA Kind of package: reel; tape |
на замовлення 3297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
1N6484-E3/96 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; DO213AB; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 8pF Case: DO213AB Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 0.2mA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3297 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
1N6484-E3/96 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
1N6484-E3/96 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
товар відсутній |