![1N5822G 1N5822G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/e483b6b1a2a7eec84cb1dd9d4b73476529902999/1n5408rlg.jpg)
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
363+ | 33.3 грн |
486+ | 24.91 грн |
559+ | 21.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5822G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 1N5822G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 525 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 80A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 525mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5822, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 1N5822G за ціною від 11.9 грн до 47.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5822G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5822G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 22277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
1N5822G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 40 V |
на замовлення 31583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5822G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 525mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5822 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 15231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N5822G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
1N5822G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
1N5822G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
1N5822G | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
![]() |
1N5822G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO219AD; Ufmax: 0.95V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 40V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO219AD Max. forward voltage: 0.95V Max. forward impulse current: 80A Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N5822G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO219AD; Ufmax: 0.95V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 40V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO219AD Max. forward voltage: 0.95V Max. forward impulse current: 80A Kind of package: bulk |
товар відсутній |