![1N5821RLG 1N5821RLG](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/e483b6b1a2a7eec84cb1dd9d4b73476529902999/1n5408rlg.jpg)
1N5821RLG ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 14.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5821RLG ON Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A AXIAL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 30 V.
Інші пропозиції 1N5821RLG за ціною від 11.44 грн до 46.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1N5821RLG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 30 V |
на замовлення 28500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5821RLG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5821RLG | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 3A; DO219AD; Ufmax: 0.9V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 30V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO219AD Max. forward impulse current: 80A Max. forward voltage: 0.9V |
на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5821RLG | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 30V; 3A; DO219AD; Ufmax: 0.9V Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 30V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Case: DO219AD Max. forward impulse current: 80A Max. forward voltage: 0.9V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1254 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5821RLG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1N5821RLG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 30 V |
на замовлення 29556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5821RLG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5821RLG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 5300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5821RLG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5821RLG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |