1N5811US Microchip Technology
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 92+ | 466.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5811US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N5811US за ціною від 417.04 грн до 738.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5811US | Виробник : Microchip Technology |
 Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELFPackaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
1N5811US | Виробник : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
1N5811US | Виробник : Sensitron Semiconductors |
Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B |
на замовлення 6494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
1N5811US | Виробник : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
1N5811US | Виробник : Microchip Technology |
Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT |
на замовлення 1317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
1N5811US | Виробник : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
на замовлення 523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
1N5811US | Виробник : Sensitron Semiconductors |
Diode Switching 150V 6A 2-Pin MELF-B |
на замовлення 6494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
1N5811US | Виробник : Sensitron Semiconductors |
Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns 2-Pin MELF-B |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
1N5811US | Виробник : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
1N5811US | Виробник : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
1N5811US | Виробник : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
1N5811US | Виробник : Microchip Technology |
Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
1N5811US | Виробник : EIC |
Rectifier Diode Switching 150V 6A 30ns 2-Pin SMB |
товар відсутній |
|||||||||||||
| 1N5811US | Виробник : MICROSEMI |
E_SQ_MELF/ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N5811 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| 1N5811US | Виробник : Semtech |
Superfast Recovery Diodes Surface Mount POWER DISCR 1N5811 кількість в упаковці: 100 шт |
товар відсутній |