1N5809US Microchip Technology
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 563.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5809US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 30 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції 1N5809US за ціною від 504.19 грн до 889.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N5809US | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
1N5809US | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
1N5809US | Виробник : Microchip Technology | Rectifiers UFR,FRR _ B-Body Sq. Melf |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
1N5809US | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
1N5809US | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
товару немає в наявності |
||||||||||||
1N5809US | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
товару немає в наявності |
||||||||||||
1N5809US | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 100V 6A 30ns 2-Pin E-MELF Bag |
товару немає в наявності |
||||||||||||
1N5809US | Виробник : MICROSEMI |
E_SQ._MELFULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
1N5809US | Виробник : Semtech |
6A SUPERFAST RECT-SM POWER DISCR 1N5809 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |