![1N5804US 1N5804US](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/f7aa21b1c34f0b5156685e643fd3df6886830404/melf.jpg)
1N5804US Sensitron Semiconductors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 409.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5804US Sensitron Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A D-5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V.
Інші пропозиції 1N5804US за ціною від 563.69 грн до 986.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1N5804US | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
1N5804US | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
1N5804US | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
1N5804US | Виробник : Sensitron Semiconductors |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
1N5804US | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
1N5804US | Виробник : EIC |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
1N5804US | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
1N5804US | Виробник : MICROSEMI |
![]() ![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
1N5804US | Виробник : Semtech |
![]() ![]() кількість в упаковці: 75 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
1N5804US | Виробник : Semtech Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.1A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V |
товар відсутній |