![1N5655A 1N5655A](https://media.digikey.com/Photos/Solid-State/MFG_DO-13.jpg)
1N5655A Solid State Inc.
![1N5629-1N5665A-ssi.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TVS DIODE D0-13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-13
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70.1V
Supplier Device Package: DO-13
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 77.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 303.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5655A Solid State Inc.
Description: TVS DIODE D0-13, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-13, Mounting Type: Through Hole, Type: Zener, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 13.3A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70.1V, Supplier Device Package: DO-13, Unidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 77.9V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V, Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW), Power Line Protection: No, Part Status: Active.
Інші пропозиції 1N5655A за ціною від 997.42 грн до 1088.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5655A | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
1N5655A | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
1N5655A | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 82V; 13.3A; unidirectional; ±5%; DO13 Case: DO13 Mounting: THT Semiconductor structure: unidirectional Max. off-state voltage: 70.1V Peak pulse power dissipation: 1.5kW Tolerance: ±5% Max. forward impulse current: 13.3A Breakdown voltage: 82V Leakage current: 5µA Type of diode: TVS кількість в упаковці: 100 шт |
товар відсутній |
||||||||
1N5655A | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 82V; 13.3A; unidirectional; ±5%; DO13 Case: DO13 Mounting: THT Semiconductor structure: unidirectional Max. off-state voltage: 70.1V Peak pulse power dissipation: 1.5kW Tolerance: ±5% Max. forward impulse current: 13.3A Breakdown voltage: 82V Leakage current: 5µA Type of diode: TVS |
товар відсутній |