1N5619US Microchip Technology
![11062-sd47a-datasheet](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 433.41 грн |
100+ | 387.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5619US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A D-5A, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, A, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: D-5A, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V.
Інші пропозиції 1N5619US за ціною від 523.4 грн до 523.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1N5619US | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
![]() |
на замовлення 550 шт: термін постачання 257-266 дні (днів) |
|
||||
1N5619US | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |