Технічний опис 1N5557 Microchip Technology
Category: Unidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 1.5kW; 54V; 19A; unidirectional; DO13, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Mounting: THT, Case: DO13, Max. off-state voltage: 49V, Semiconductor structure: unidirectional, Max. forward impulse current: 19A, Breakdown voltage: 54V, Leakage current: 5µA, кількість в упаковці: 100 шт.
Інші пропозиції 1N5557
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5557 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
1N5557 | Виробник : Sensitron Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
1N5557 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
1N5557 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 54V; 19A; unidirectional; DO13 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Mounting: THT Case: DO13 Max. off-state voltage: 49V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 19A Breakdown voltage: 54V Leakage current: 5µA кількість в упаковці: 100 шт |
товар відсутній |
||
1N5557 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Diode: TVS; 1.5kW; 54V; 19A; unidirectional; DO13 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Mounting: THT Case: DO13 Max. off-state voltage: 49V Semiconductor structure: unidirectional Max. forward impulse current: 19A Breakdown voltage: 54V Leakage current: 5µA |
товар відсутній |