1N5553US Sensitron Semiconductors
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
41+ | 298.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5553US Sensitron Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V.
Інші пропозиції 1N5553US за ціною від 277.57 грн до 729.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N5553US | Виробник : Sensitron Semiconductors | Rectifier Diode Switching 800V 3A 2000ns 2-Pin MELF-B |
на замовлення 652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
1N5553US | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A B SQ-MELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
1N5553US | Виробник : Microchip Technology | Diode Switching 800V 5A 2-Pin B-MELF Bag |
товар відсутній |
||||||||
1N5553US | Виробник : Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 800V 5A 2000ns 2-Pin B-MELF Bag |
товар відсутній |
||||||||
1N5553US | Виробник : Microchip Technology | Rectifiers Rectifier |
товар відсутній |