![1N5551 1N5551](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/3d52f65da27225e98cbcb1e03edd4ee5791711b3/1n5119.jpg)
1N5551 Microchip Technology
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 425.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5551 Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: B, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V.
Інші пропозиції 1N5551 за ціною від 395.87 грн до 458.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5551 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
1N5551 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
1N5551 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
1N5551 | Виробник : Sensitron Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
||||||||
1N5551 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 5A; tape; Ifsm: 100A; Ufmax: 1.2V; 2us Mounting: THT Kind of package: tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.4kV Reverse recovery time: 2µs Max. forward voltage: 1.2V Load current: 5A Max. forward impulse current: 100A Type of diode: rectifying кількість в упаковці: 158 шт |
товар відсутній |
||||||||
1N5551 | Виробник : Semtech |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
![]() |
1N5551 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||
1N5551 | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 5A; tape; Ifsm: 100A; Ufmax: 1.2V; 2us Mounting: THT Kind of package: tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.4kV Reverse recovery time: 2µs Max. forward voltage: 1.2V Load current: 5A Max. forward impulse current: 100A Type of diode: rectifying |
товар відсутній |