1N5416US Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A D-5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A D-5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 722.1 грн |
100+ | 645.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5416US Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A D-5B, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, E, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: D-5B, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V.
Інші пропозиції 1N5416US за ціною від 641.65 грн до 780.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N5416US | Виробник : Microchip Technology | Rectifiers 110V 3A UFR,FRR SQ SMT |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
1N5416US | Виробник : Microchip Technology | Diode Switching 100V 3A 2-Pin E-MELF Bag |
товар відсутній |
||||||||||||
1N5416US | Виробник : Sensitron Semiconductors | Rectifier Diode Switching 100V 3A 150ns 2-Pin MELF-B |
товар відсутній |
||||||||||||
1N5416US | Виробник : Microchip Technology | Diode Switching 100V 3A 2-Pin E-MELF Bag |
товар відсутній |
||||||||||||
1N5416US | Виробник : MICROSEMI |
1N5416US 1N5416 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |