![1N5408-G 1N5408-G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/392/DO-201AD.jpg)
1N5408-G Comchip Technology
![QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1200+ | 6.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5408-G Comchip Technology
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5408G - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 1N5408-G за ціною від 5.63 грн до 90.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5408G | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 6250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 25500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : EIC |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 17843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 5340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 32052 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() ![]() ![]() ![]() |
на замовлення 5835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5408 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 9451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1N5408G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 9519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Mounting: THT Case: DO27 Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Leakage current: 50µA Kind of package: bulk Type of diode: rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Mounting: THT Case: DO27 Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Leakage current: 50µA Kind of package: bulk Type of diode: rectifying |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Mounting: THT Features of semiconductor devices: glass passivated Case: DO27 Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Kind of package: tape Type of diode: rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5408-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5408G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Mounting: THT Features of semiconductor devices: glass passivated Case: DO27 Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Kind of package: tape Type of diode: rectifying |
товар відсутній |