1N5407-G

1N5407-G Comchip Technology


QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf Виробник: Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 8400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+7.38 грн
Мінімальне замовлення: 6000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N5407-G Comchip Technology

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 200A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції 1N5407-G за ціною від 6.13 грн до 36.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1N5407G 1N5407G Виробник : Good-Ark 21n540xg.pdf Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
63+9.54 грн
67+ 8.96 грн
68+ 8.92 грн
Мінімальне замовлення: 63
1N5407-G 1N5407-G Виробник : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 6000
1N5407G 1N5407G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013179088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5407
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+30.88 грн
33+ 23.92 грн
100+ 12.82 грн
500+ 10.96 грн
1000+ 8.38 грн
5000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 26
1N5407-G 1N5407-G Виробник : Comchip Technology QW_BG015_1N5400_G_Thru__1N5408_G_RevA-2506339.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching VR=800V, IO=3A
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.98 грн
14+ 23.8 грн
100+ 12.41 грн
500+ 11.5 грн
1200+ 7.88 грн
2400+ 7.11 грн
9600+ 6.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
1N5407G 1N5407G Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+32.13 грн
32+ 24.86 грн
100+ 13.37 грн
500+ 11.4 грн
1000+ 8.58 грн
5000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 25
1N5407G 1N5407G Виробник : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+32.16 грн
24+ 25.53 грн
Мінімальне замовлення: 19
1N5407G 1N5407G Виробник : onsemi 1n5400-d.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.17 грн
12+ 24.83 грн
100+ 14.9 грн
500+ 12.94 грн
1000+ 8.8 грн
2000+ 8.1 грн
5000+ 7.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
1N5407G 1N5407G Виробник : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+33.55 грн
23+ 26.64 грн
100+ 15.57 грн
500+ 13.95 грн
1000+ 7.86 грн
2500+ 7.39 грн
Мінімальне замовлення: 18
1N5407G 1N5407G Виробник : onsemi 1N5400_D-2307973.pdf Rectifiers 800V 3A Standard
на замовлення 26492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+35.53 грн
12+ 27.33 грн
100+ 14.36 грн
500+ 13.17 грн
1000+ 8.22 грн
2500+ 7.88 грн
7500+ 7.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
1N5407G 1N5407G Виробник : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
335+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 335
1N5407G 1N5407G Виробник : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1N5407G 1N5407G Виробник : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
товар відсутній
1N5407G Виробник : ONSEMI 1n5400-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 800V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
товар відсутній
1N5407G 1N5407G Виробник : Taiwan Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifiers 3A, 800V, Standard Recovery Rectifier
товар відсутній
1N5407-G 1N5407-G Виробник : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
1N5407G Виробник : Lite-On Electronics 1n5400g-1n5408g-9.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
1N5407G 1N5407G Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
1N5407G Виробник : ONSEMI 1n5400-d.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 800V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
1N5407G 1N5407G Виробник : EIC 2531n5400g_8g.pdf Diode Si 800V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
1N5407G 1N5407G Виробник : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Rectifier Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
товар відсутній
1N5407-G 1N5407-G Виробник : Comchip Technology qw-bg015201n5400-g20thru.201n5408-g20revc.pdf Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
1N5407G 1N5407G Виробник : ON Semiconductor 1n5400-d.pdf Diode Switching 800V 3A 2-Pin DO-201AD Box
товар відсутній
1N5407G 1N5407G Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY 1N5400G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
товар відсутній