![1N5407-G 1N5407-G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/392/DO-201AD.jpg)
1N5407-G Comchip Technology
![QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6000+ | 7.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5407-G Comchip Technology
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5407G - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 200A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 1N5407-G за ціною від 6.13 грн до 36.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5407G | Виробник : Good-Ark |
![]() |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5407-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 8400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5407G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5407 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 6262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5407-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 3279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5407G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 6315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1N5407G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5407G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 26492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
1N5407G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; THT; 800V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
1N5407G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5407-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
1N5407G | Виробник : Lite-On Electronics |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
1N5407G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
1N5407G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; THT; 800V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
1N5407G | Виробник : EIC |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5407-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5407G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5407G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V |
товар відсутній |