1N5407-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![1n5400.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 7.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5407-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-201AD, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-201AD, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.
Інші пропозиції 1N5407-E3/73 за ціною від 10.87 грн до 38.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1N5407-E3/73 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
на замовлення 1673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
1N5407-E3/73 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
1N5407-E3/73 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
1N5407-E3/73 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |