![1N5406G 1N5406G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/93d03ac1277ee7d3f4f733809db1d06eb773808c/do-201ad.jpg)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
214+ | 2.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5406G Good-Ark
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5406G - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 3 A, Einfach, 1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 1N5406G за ціною від 5.76 грн до 38.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5406-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 3287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5406-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5406-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 31917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 525 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 25780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1N5406G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 7845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : Good-Ark |
![]() |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
1N5406G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : EIC |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
1N5406G | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : Rectron |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5406-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5406-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5406G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V |
товар відсутній |