1N5402G R0G Taiwan Semiconductor
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 34.8 грн |
11+ | 29.49 грн |
100+ | 17.84 грн |
500+ | 13.94 грн |
1250+ | 11.29 грн |
2500+ | 10.11 грн |
10000+ | 8.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5402G R0G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-201AD, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-201AD, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції 1N5402G R0G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
1N5402G R0G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD |
товар відсутній |
||
1N5402G R0G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
товар відсутній |
||
1N5402G R0G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товар відсутній |