![1N5402-G 1N5402-G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/392/DO-201AD.jpg)
1N5402-G Comchip Technology
![QW-BG015 1N5400-G Thru. 1N5408-G RevA.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6000+ | 7.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5402-G Comchip Technology
Description: ONSEMI - 1N5402G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, Durchlassstoßstrom: 200A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5402, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 1N5402-G за ціною від 4.43 грн до 83.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5402G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 25024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5402G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5402 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 88399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5402-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5402-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 7122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1N5402G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 8737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5402G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Case: DO27 Mounting: THT Kind of package: tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 200V Features of semiconductor devices: glass passivated Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 200A Type of diode: rectifying |
на замовлення 2405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5402G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Case: DO27 Mounting: THT Kind of package: tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 200V Features of semiconductor devices: glass passivated Max. forward voltage: 1.1V Load current: 3A Max. forward impulse current: 200A Type of diode: rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2405 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
1N5402G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
1N5402G | Виробник : Good-Ark |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5402G | Виробник : Good-Ark |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5402G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5402G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; THT; 200V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5402G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
1N5402G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
1N5402-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5402-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5402G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; THT; 200V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V; Ir: 50uA Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5402G | Виробник : EIC |
![]() |
товар відсутній |