на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1570+ | 4.66 грн |
3000+ | 3.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5401G Good-Ark
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5401G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 1.1 V, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5401, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 1N5401G за ціною від 5.02 грн до 35.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N5401G | Виробник : Good-Ark | Diode 100V 3A 2-Pin DO-201AD |
на замовлення 5653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 100V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 3805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5401-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO27 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 39600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5401G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 68334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : ON Semiconductor | Diode Switching 100V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5401-G | Виробник : Comchip Technology | Diode 100V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : ON Semiconductor | Diode Switching 100V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5401-G | Виробник : Comchip Technology | Diode 100V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: RECTIFIER, GENERAL PURPOSE, GLAS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5401-G | Виробник : Comchip Technology | Small Signal Switching Diodes VR=100V, IO=3A |
на замовлення 3463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5401-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO27 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 40741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - 1N5401G - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 3 A, Einfach, 1.1 V, 125 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5401 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : ON Semiconductor | Diode Switching 100V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
на замовлення 4829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5401-G | Виробник : Comchip Technology | Diode 100V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : onsemi | Rectifiers 100V 3A Standard |
на замовлення 5536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; bulk; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: bulk Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1V Leakage current: 50µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 501 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : ON Semiconductor | Diode Switching 100V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N5401-G | Виробник : Comchip Technology | Diode 100V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers 3A, 100V, Standard Recovery Rectifier |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : EIC | Diode Si 100V 3A 2-Pin DO-201AD |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : SMC Diode Solutions |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : ON Semiconductor | Diode Switching 100V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: RECTIFIER, GENERAL PURPOSE, GLAS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 100V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : ON Semiconductor | Diode Switching 100V 3A 2-Pin DO-201AD Box |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N5401G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товар відсутній |