![1N5400-G 1N5400-G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/569ce81490e3ad227a3e47ea538647b4bbfd0acc/do-201.jpg)
на замовлення 5349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1027+ | 7.05 грн |
3000+ | 7.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N5400-G Comchip Technology
Description: ONSEMI - 1N5400G - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AD, Durchlassstoßstrom: 200A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: -ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N5400, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 1N5400-G за ціною від 6.05 грн до 29.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N5400G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5400-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 5349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5400G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5400G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5400 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5400G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 45737 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5400-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
на замовлення 3722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1N5400G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
на замовлення 5191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N5400G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5400-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5400G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5400G | Виробник : EIC |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5400G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5400-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-27 (DO-201AD) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5400G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
1N5400G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Kind of package: tape Max. forward impulse current: 200A Case: DO27 Max. forward voltage: 1.1V |
товар відсутній |