![1N4531,133 1N4531,133](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/3c38a1bcfb062b448170f9d36364cdcdd092b2a4/sod068_3d.jpg)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 1.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4531,133 Nexperia
Description: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO34, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-204AG, DO-34, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: DO-34, Operating Temperature - Junction: 200°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V.
Інші пропозиції 1N4531,133 за ціною від 1.06 грн до 12.3 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N4531,133 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AG, DO-34, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-34 Operating Temperature - Junction: 200°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4531,133 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AG, DO-34, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-34 Operating Temperature - Junction: 200°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V |
на замовлення 11578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4531,133 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; THT; 75V; 200mA; Ammo Pack; Ifsm: 1A; DO34; 500mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 75V Load current: 0.2A Max. load current: 0.45A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 1A Case: DO34 Max. forward voltage: 1V Power dissipation: 0.5W Reverse recovery time: 4ns |
на замовлення 2234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4531,133 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 352320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4531,133 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: switching; THT; 75V; 200mA; Ammo Pack; Ifsm: 1A; DO34; 500mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 75V Load current: 0.2A Max. load current: 0.45A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: Ammo Pack Max. forward impulse current: 1A Case: DO34 Max. forward voltage: 1V Power dissipation: 0.5W Reverse recovery time: 4ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2234 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4531,133 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |