![1N4448TR 1N4448TR](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/99311404854b2f90c5afb687eda9266dcaffb44/bzx55f8v2tap64.jpg)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50000+ | 0.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4448TR Vishay
Description: ONSEMI - 1N4448TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1 V, 4 ns, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-204AH, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: 1N4448, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 1N4448TR за ціною від 0.48 грн до 15.91 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N4448TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 322571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 33620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 8 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 43453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V |
на замовлення 34419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; THT; 100V; 300mA; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V; Ir: 50uA Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.3A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 2pF Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.5W |
на замовлення 9955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1296345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: switching; THT; 100V; 300mA; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V; Ir: 50uA Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.3A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Capacitance: 2pF Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.5W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9955 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4448 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 25515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 43453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 2A; DO35; 440mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 8ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Capacitance: 4pF Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. load current: 0.5A Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.44W Kind of package: reel; tape |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 8 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 75 V |
на замовлення 54748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() ![]() |
на замовлення 368929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: switching; THT; 100V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 2A; DO35; 440mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 8ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Capacitance: 4pF Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. load current: 0.5A Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.44W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448 TR | Виробник : Central Semiconductor Corp |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
1N4448/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
1N4448/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448 TR | Виробник : Central Semiconductor Corp |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 100 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
1N4448/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
1N4448TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |