![1N4447TR 1N4447TR](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5442/MFG_FAIFSC1N6001B.jpg)
1N4447TR Fairchild Semiconductor
![CSEMD005-114.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 100V DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
на замовлення 28980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11539+ | 2.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4447TR Fairchild Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 200mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 20 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V.
Інші пропозиції 1N4447TR за ціною від 20.02 грн до 82.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N4447/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
1N4447/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
1N4447/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
1N4447TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
1N4447/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 20 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||
|
1N4447/TR | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |