![1N4247 1N4247](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/d8dbd134d4a9af4d335e6566f4141c93049e2c0f/jantx1n4247.jpg)
1N4247 Sensitron Semiconductors
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 237.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4247 Sensitron Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 5 µs, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V.
Інші пропозиції 1N4247 за ціною від 256.27 грн до 557.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N4247 | Виробник : Sensitron Semiconductors |
![]() |
на замовлення 827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
1N4247 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
1N4247 | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
![]() |
на замовлення 720 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
1N4247 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
1N4247 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
1N4247 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
1N4247 | Виробник : MICROSEMI |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
1N4247 | Виробник : Semtech |
![]() кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
|
1N4247 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 5 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
товар відсутній |
|||||||||
1N4247 | Виробник : Semtech |
![]() |
товар відсутній |