![1N4151TAP 1N4151TAP](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/99311404854b2f90c5afb687eda9266dcaffb44/bzx55f8v2tap64.jpg)
1N4151TAP Vishay
![1n4151.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Rectifier Diode Small Signal Switching 75V 0.3A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin DO-35 Ammo
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20000+ | 1.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4151TAP Vishay
Description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 150mA, Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N4151TAP за ціною від 1.47 грн до 15.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N4151TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 50 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N4151TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N4151TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N4151TAP | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 50 V |
на замовлення 13014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N4151TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N4151TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N4151TAP | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 49739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N4151TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
1N4151TAP | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
1N4151TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: switching; THT; 75V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 2A; DO35; Ir: 50uA Kind of package: Ammo Pack Capacitance: 2pF Max. off-state voltage: 75V Max. load current: 0.5A Max. forward voltage: 1V Load current: 0.15A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4ns Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.44W Type of diode: switching Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Mounting: THT Case: DO35 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
1N4151TAP | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: switching; THT; 75V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 2A; DO35; Ir: 50uA Kind of package: Ammo Pack Capacitance: 2pF Max. off-state voltage: 75V Max. load current: 0.5A Max. forward voltage: 1V Load current: 0.15A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 4ns Max. forward impulse current: 2A Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.44W Type of diode: switching Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Mounting: THT Case: DO35 |
товар відсутній |