на замовлення 9644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9317+ | 1.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N4150-TR Vishay
Description: VISHAY - 1N4150TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-204AH, Durchlassstoßstrom: 4A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 920mV, Sperrverzögerungszeit: 4ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 1N4150-TR за ціною від 1.57 грн до 22.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N4150-TR | Виробник : Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R |
на замовлення 5759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150-TR | Виробник : Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R |
на замовлення 5759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TR | Виробник : Vishay Semiconductors | Small Signal Switching Diodes Vr/50V Io/150mA T/R |
на замовлення 63168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 59597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TR | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - 1N4150TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 920mV Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 38594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TR |
на замовлення 7883 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
1N4150/TR | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE GP REV 50V 200MA DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
1N4150TR | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 6 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
1N4150TR | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 6 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
1N4150 TR | Виробник : Rectron | Rectifier Diode Switching 50V 0.6A 4ns 2-Pin DO-35 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
1N4150TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 4ns Automotive 2-Pin DO-35 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
1N4150/TR | Виробник : Microchip Technology | Signal or Computer Diode |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
1N4150-T/R | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - 1N4150-T/R - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 1 V, 4 ns, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4150 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
1N4150-TR | Виробник : Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
1N4150TR | Виробник : ON Semiconductor | Rectifier Diode Small Signal Switching 50V 0.4A 6ns 2-Pin DO-35 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
1N4150/TR | Виробник : Microchip Technology | Zener Diodes 75 V Signal or Computer Diode |
товар відсутній |