![1N4150 1N4150](https://media.digikey.com/Photos/Fairchild Semi Photos/1N5229BFS.jpg)
у наявності 207 шт:
207 шт - склад
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 3 грн |
18+ | 2.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції 1N4150 за ціною від 0.49 грн до 71.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N4150 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 500mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.3A Max. load current: 0.6A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: DO35 Max. forward voltage: 1.2V Max. forward impulse current: 4A Power dissipation: 0.5W Kind of package: Ammo Pack |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4150 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 500mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.3A Max. load current: 0.6A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: DO35 Max. forward voltage: 1.2V Max. forward impulse current: 4A Power dissipation: 0.5W Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4150 | Виробник : DC COMPONENTS |
![]() Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 0.5A; DO35; 4ns Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4150 | Виробник : DC COMPONENTS |
![]() Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 0.5A; DO35; 4ns Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1N4150 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 13348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
1N4150 | Виробник : DIOTEC |
![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 140 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 4720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | Виробник : Microchip Technology |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 910 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
1N4150 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N4150 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N4150 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N4150 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N4150 | Виробник : EIC |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
1N4150 | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N4150 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N4150 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 6 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N4150 | Виробник : Rectron |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
1N4150 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
|
1N4150 | Виробник : Rectron |
![]() ![]() ![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N4150 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
1N4150 | Виробник : EIC |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRF740PBF Код товару: 162988 |
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 416 шт
очікується:
30 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 55 грн |
10+ | 49.5 грн |
KSP44BU (Fairchild) Код товару: 40273 |
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 500 V
Ic,A: 0,3 A
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 500 V
Ic,A: 0,3 A
Монтаж: THT
товар відсутній
TL494CN Код товару: 36468 |
![]() ![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 7...40 V
Iвых., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300 kHz
Темп.діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-16
Призначення і характеристики: PWM Controllers
Напруга вхідна, V: 7...40 V
Iвых., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300 kHz
Темп.діапазон: 0...+70°C
у наявності: 398 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 14 грн |
10+ | 12.5 грн |
100+ | 11.2 грн |
1N4751A Код товару: 33741 |
![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 30 V
Струм стабілізації, Izt: 8.5mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.06 до 0.095 %/°C
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 30 V
Струм стабілізації, Izt: 8.5mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.06 до 0.095 %/°C
у наявності: 426 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 2.5 грн |
30+ | 1.7 грн |
100+ | 0.9 грн |