1N3891R Sensitron Semiconductors
![6028.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
200 VOLT, 12 AMP, 200 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE. , 200 VOLT, 12 AMP, 200 NS HERMETIC RECTIFIER IN A DO-4 PACKAGE.
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N3891R Sensitron Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Chassis, Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Technology: Standard, Reverse Polarity, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: DO-4, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N3891R
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
1N3891R | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|
1N3891R | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||
1N3891R | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товар відсутній |
||
![]() |
1N3891R | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 38 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
товар відсутній |
|
![]() |
1N3891R | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
1N3891R | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |