1N3070TR onsemi
Виробник: onsemiDescription: DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 2.02 грн |
| 30000+ | 1.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N3070TR onsemi
Description: DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Supplier Device Package: DO-35, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V.
Інші пропозиції 1N3070TR за ціною від 2.16 грн до 15.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N3070TR | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 500mA; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V; 500mW Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 5pF Max. forward impulse current: 4A Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Power dissipation: 0.5W Reverse recovery time: 50ns |
на замовлення 4388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1N3070TR | Виробник : ONSEMI |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 500mA; Ifsm: 4A; DO35; Ufmax: 1V; 500mW Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 0.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: small signal Capacitance: 5pF Max. forward impulse current: 4A Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Power dissipation: 0.5W Reverse recovery time: 50ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4388 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
1N3070TR | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V |
на замовлення 33872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
1N3070TR | Виробник : onsemi / Fairchild |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast |
на замовлення 29393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| 1N3070TR |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| 1N3070/TR | Виробник : Microchip Technology | Description: SIGNAL/COMPUTER DIODE |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
| 1N3070/TR | Виробник : Microchip Technology |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode |
товар відсутній |