![1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/11b42895dc2ecfa9ab97b3d1ee785d6e0bb829d4/1edn_wson_6pin.jpg)
1EDN7512GXTMA1 Infineon Technologies
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
358+ | 33.75 грн |
381+ | 31.65 грн |
388+ | 31.14 грн |
500+ | 29.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1EDN7512GXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - 1EDN7512GXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 19ns Verzögerung, WSON-6, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 8A, Treiberkonfiguration: Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: WSON, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 4A, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Nicht isoliert, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 19ns, Ausgabeverzögerung: 19ns, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції 1EDN7512GXTMA1 за ціною від 26.64 грн до 75.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 7816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: PG-WSON-6-1 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 3831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 8A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSON Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1EDN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 19ns Ausgabeverzögerung: 19ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 7816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
1EDN7512GXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: PG-WSON-6-1 Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |