Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UDA1351TS | NXP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
UDA1352TS | NXP |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
UDA1355H | NXP | QFP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
UDA1355H/N2 | NXP | 08+ DIP14 |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
UDA1380TT | NXP | 09+ |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
UDA3537L | NXP |
на замовлення 433 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
UJA1069TW24 | NXP |
на замовлення 264 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
UPA1334TS/N1 | NXP | TSOP8 |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
V2009SB28 | NXP | QFP |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
V2009SB2B | NXP | QFP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
V21108AH13 | NXP | QFP |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
VAV70,215 | NXP |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
VP21895 | NXP | QFP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
VP22565-HKPMM | NXP | QFP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
VP27204 | NXP | QFP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
VP27299A | NXP | QFP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
VP40554-Y37976.Y1 | NXP | QFP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
VY22471 | NXP | TQFP |
на замовлення 5200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
VY22471-D3690.1 | NXP | QFP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
VY22522C2 | NXP | 0722+ |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
VY22545-SG4848.1 | NXP | 07+ BGA |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
XC6202P282MR | NXP | 08+ |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
XP151A11B0MR | nxp | sot-23 09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
8MMINID4-EVK | NXP |
Category: NXP development kits Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex M4; uP: i.MX8 M Type of development kit: ARM NXP Kind of architecture: Cortex M4 Processor: i.MX8 M кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
8MMINILPD4-EVK | NXP |
Category: NXP development kits Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex A53/M4; uP: i.MX8 M Type of development kit: ARM NXP Kind of architecture: Cortex A53/M4 Processor: i.MX8 M кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
8MNANOD4-EVK | NXP |
Category: NXP development kits Description: Dev.kit: ARM NXP; prototype board,power supply USA plug Type of development kit: ARM NXP Kit contents: power supply USA plug; prototype board Kind of architecture: Cortex A53 Processor: i.MX8 M кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AFT05MP075GNR1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WBG-4; Pout: 70W; SMT Case: TO270WBG-4 Frequency: 520MHz Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 18.5dB Output power: 70W Power dissipation: 690W Efficiency: 68.5% Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AFT05MP075NR1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WB-4; Pout: 70W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 690W Case: TO270WB-4 Kind of package: reel; tape Frequency: 520MHz Kind of channel: enhanced Output power: 70W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 18.5dB Efficiency: 68.5% кількість в упаковці: 500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AFT05MS004NT1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 28W; SOT89; Pout: 4.9W; SMT Case: SOT89 Frequency: 520MHz Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 20.9dB Output power: 4.9W Power dissipation: 28W Efficiency: 74.9% Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AFT05MS006NT1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125W; PLD-1.5W; Pout: 6W; SMT Case: PLD-1.5W Frequency: 520MHz Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 18.3dB Output power: 6W Power dissipation: 125W Efficiency: 73% Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AFT05MS031GNR1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 294W; TO270G-2; Pout: 33W; SMT Case: TO270G-2 Frequency: 520MHz Type of transistor: N-MOSFET Open-loop gain: 17.7dB Output power: 33W Power dissipation: 294W Efficiency: 71.4% Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AFT09MP055GNR1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WBG-4; Pout: 57W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 625W Case: TO270WBG-4 Kind of package: reel; tape Frequency: 870MHz Kind of channel: enhanced Output power: 57W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.5dB Efficiency: 69% кількість в упаковці: 500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AFT09MP055NR1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WB-4; Pout: 57W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 625W Case: TO270WB-4 Kind of package: reel; tape Frequency: 870MHz Kind of channel: enhanced Output power: 57W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.5dB Efficiency: 69% кількість в упаковці: 500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AFT09MS031GNR1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270G-2; Pout: 31W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 317W Case: TO270G-2 Kind of package: reel; tape Frequency: 870MHz Kind of channel: enhanced Output power: 31W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.2dB Efficiency: 71% кількість в упаковці: 500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AFT09MS031NR1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270-2; Pout: 31W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 317W Case: TO270-2 Kind of package: reel; tape Frequency: 870MHz Kind of channel: enhanced Output power: 31W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.2dB Efficiency: 71% кількість в упаковці: 500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AFT20S015GNR1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; TO270G-2; 16.2W; SMT; 17.6dB Case: TO270G-2 Open-loop gain: 17.6dB Output power: 16.2W Efficiency: 22% Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: enhanced Frequency: 2140MHz Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AFT27S006NT1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 6W; SMT; 22.8dB; 19.8% Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Case: PLD-1.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 2140MHz Kind of channel: enhanced Output power: 6W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 22.8dB Efficiency: 19.8% кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AFT27S010NT1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 10W; SMT; 21.8dB; 23% Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Case: PLD-1.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 2140MHz Kind of channel: enhanced Output power: 10W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 21.8dB Efficiency: 23% кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AFT27S012NT1 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 13W; SMT; 20.9dB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Case: PLD-1.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 2140MHz Kind of channel: enhanced Output power: 13W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 20.9dB Efficiency: 22.6% кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AFT31150NR5 | NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 741W; OM780-2; Pout: 150W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 741W Case: OM780-2 Kind of package: reel; tape Frequency: 3100MHz Kind of channel: enhanced Output power: 150W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 17.2dB Efficiency: 49% кількість в упаковці: 50 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BAP50-02,115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape Max. off-state voltage: 50V Load current: 50mA Case: SOD523 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.95V Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Power dissipation: 715mW Type of diode: switching Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 189 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BAP50-04,215 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 250mW; SOT23; double series; reel,tape Max. off-state voltage: 50V Load current: 50mA Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.95V Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Power dissipation: 0.25W Type of diode: switching Semiconductor structure: double series кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2530 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BAP51-02,115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 60V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape Max. off-state voltage: 60V Load current: 50mA Case: SOD523 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.95V Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Power dissipation: 715mW Type of diode: switching Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7550 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BAP51-03,115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 500mW; SOD323; single diode; reel,tape Max. off-state voltage: 50V Load current: 50mA Case: SOD323 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.95V Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Type of diode: switching Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3430 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BAP64-02,115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode Type of diode: switching Max. off-state voltage: 175V Load current: 0.1A Power dissipation: 715mW Case: SOD523 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 0.95V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BAP64-03,115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode Type of diode: switching Max. off-state voltage: 175V Load current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: SOD323 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 0.95V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BAP64-05,215 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common cathode Type of diode: switching Max. off-state voltage: 175V Load current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 0.95V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BAP64-06,215 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common anode Type of diode: switching Max. off-state voltage: 175V Load current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Semiconductor structure: common anode; double Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 0.95V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BAP65-02,115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.1A Case: SOD523 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 0.9V Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Power dissipation: 715mW Type of diode: switching Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1015 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BAP65-03,115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode Case: SOD323 Max. off-state voltage: 30V Max. forward voltage: 0.9V Load current: 0.1A Semiconductor structure: single diode Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BAP70-02,115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 415mW; SOD523; single diode Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.1A Semiconductor structure: single diode Case: SOD523 Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 0.9V Kind of package: reel; tape Power dissipation: 415mW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14020 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BB135.115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape Type of diode: varicap Max. off-state voltage: 30V Load current: 20mA Case: SOD323 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: RF Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.2µA Capacitance: 1.7...21pF кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BB173X | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: varicap; 32V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape Load current: 20mA Max. off-state voltage: 32V Type of diode: varicap Capacitance: 2.36...42.35pF Features of semiconductor devices: RF Case: SOD523 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Leakage current: 0.2µA Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BB208-02,115 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: varicap; 10V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape Max. off-state voltage: 10V Load current: 20mA Case: SOD523 Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: RF Mounting: SMD Capacitance: 4.5...23.2pF Semiconductor structure: single diode Leakage current: 0.2µA Type of diode: varicap кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BBY40,215 | NXP |
Category: Diodes - others Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOT23; single diode; reel,tape; Ir: 20nA Load current: 20mA Max. off-state voltage: 30V Type of diode: varicap Capacitance: 4.3...32pF Features of semiconductor devices: RF Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Leakage current: 20nA Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 398 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BFT25,215 | NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Power dissipation: 30mW Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Frequency: 2.3GHz Collector-emitter voltage: 5V Current gain: 40 Collector current: 6.5mA Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BFU520AR | NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 30mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 10GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5534 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BFU520XAR | NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 30mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT143B Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 10.5GHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BFU530WX | NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 24V Collector current: 40mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT323 Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 11GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2933 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BFU550AR | NXP |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Current gain: 60...200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 11GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9620 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
8MMINID4-EVK |
Виробник: NXP
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex M4; uP: i.MX8 M
Type of development kit: ARM NXP
Kind of architecture: Cortex M4
Processor: i.MX8 M
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex M4; uP: i.MX8 M
Type of development kit: ARM NXP
Kind of architecture: Cortex M4
Processor: i.MX8 M
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
8MMINILPD4-EVK |
Виробник: NXP
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex A53/M4; uP: i.MX8 M
Type of development kit: ARM NXP
Kind of architecture: Cortex A53/M4
Processor: i.MX8 M
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; Architecture: Cortex A53/M4; uP: i.MX8 M
Type of development kit: ARM NXP
Kind of architecture: Cortex A53/M4
Processor: i.MX8 M
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
8MNANOD4-EVK |
Виробник: NXP
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; prototype board,power supply USA plug
Type of development kit: ARM NXP
Kit contents: power supply USA plug; prototype board
Kind of architecture: Cortex A53
Processor: i.MX8 M
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NXP development kits
Description: Dev.kit: ARM NXP; prototype board,power supply USA plug
Type of development kit: ARM NXP
Kit contents: power supply USA plug; prototype board
Kind of architecture: Cortex A53
Processor: i.MX8 M
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AFT05MP075GNR1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WBG-4; Pout: 70W; SMT
Case: TO270WBG-4
Frequency: 520MHz
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 18.5dB
Output power: 70W
Power dissipation: 690W
Efficiency: 68.5%
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WBG-4; Pout: 70W; SMT
Case: TO270WBG-4
Frequency: 520MHz
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 18.5dB
Output power: 70W
Power dissipation: 690W
Efficiency: 68.5%
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 500 шт
товар відсутній
AFT05MP075NR1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WB-4; Pout: 70W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 690W
Case: TO270WB-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 70W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.5dB
Efficiency: 68.5%
кількість в упаковці: 500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 690W; TO270WB-4; Pout: 70W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 690W
Case: TO270WB-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 70W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 18.5dB
Efficiency: 68.5%
кількість в упаковці: 500 шт
товар відсутній
AFT05MS004NT1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 28W; SOT89; Pout: 4.9W; SMT
Case: SOT89
Frequency: 520MHz
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 20.9dB
Output power: 4.9W
Power dissipation: 28W
Efficiency: 74.9%
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 28W; SOT89; Pout: 4.9W; SMT
Case: SOT89
Frequency: 520MHz
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 20.9dB
Output power: 4.9W
Power dissipation: 28W
Efficiency: 74.9%
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
AFT05MS006NT1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125W; PLD-1.5W; Pout: 6W; SMT
Case: PLD-1.5W
Frequency: 520MHz
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 18.3dB
Output power: 6W
Power dissipation: 125W
Efficiency: 73%
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125W; PLD-1.5W; Pout: 6W; SMT
Case: PLD-1.5W
Frequency: 520MHz
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 18.3dB
Output power: 6W
Power dissipation: 125W
Efficiency: 73%
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AFT05MS031GNR1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 294W; TO270G-2; Pout: 33W; SMT
Case: TO270G-2
Frequency: 520MHz
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 17.7dB
Output power: 33W
Power dissipation: 294W
Efficiency: 71.4%
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 294W; TO270G-2; Pout: 33W; SMT
Case: TO270G-2
Frequency: 520MHz
Type of transistor: N-MOSFET
Open-loop gain: 17.7dB
Output power: 33W
Power dissipation: 294W
Efficiency: 71.4%
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 500 шт
товар відсутній
AFT09MP055GNR1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WBG-4; Pout: 57W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 625W
Case: TO270WBG-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 57W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.5dB
Efficiency: 69%
кількість в упаковці: 500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WBG-4; Pout: 57W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 625W
Case: TO270WBG-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 57W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.5dB
Efficiency: 69%
кількість в упаковці: 500 шт
товар відсутній
AFT09MP055NR1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WB-4; Pout: 57W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 625W
Case: TO270WB-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 57W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.5dB
Efficiency: 69%
кількість в упаковці: 500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WB-4; Pout: 57W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 625W
Case: TO270WB-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 57W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.5dB
Efficiency: 69%
кількість в упаковці: 500 шт
товар відсутній
AFT09MS031GNR1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270G-2; Pout: 31W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 317W
Case: TO270G-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 31W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.2dB
Efficiency: 71%
кількість в упаковці: 500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270G-2; Pout: 31W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 317W
Case: TO270G-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 31W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.2dB
Efficiency: 71%
кількість в упаковці: 500 шт
товар відсутній
AFT09MS031NR1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270-2; Pout: 31W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 317W
Case: TO270-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 31W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.2dB
Efficiency: 71%
кількість в упаковці: 500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 317W; TO270-2; Pout: 31W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 317W
Case: TO270-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 31W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.2dB
Efficiency: 71%
кількість в упаковці: 500 шт
товар відсутній
AFT20S015GNR1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; TO270G-2; 16.2W; SMT; 17.6dB
Case: TO270G-2
Open-loop gain: 17.6dB
Output power: 16.2W
Efficiency: 22%
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhanced
Frequency: 2140MHz
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; TO270G-2; 16.2W; SMT; 17.6dB
Case: TO270G-2
Open-loop gain: 17.6dB
Output power: 16.2W
Efficiency: 22%
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Kind of transistor: RF
Kind of channel: enhanced
Frequency: 2140MHz
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 500 шт
товар відсутній
AFT27S006NT1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 6W; SMT; 22.8dB; 19.8%
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 6W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 22.8dB
Efficiency: 19.8%
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 6W; SMT; 22.8dB; 19.8%
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 6W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 22.8dB
Efficiency: 19.8%
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AFT27S010NT1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 10W; SMT; 21.8dB; 23%
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 10W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 21.8dB
Efficiency: 23%
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 10W; SMT; 21.8dB; 23%
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 10W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 21.8dB
Efficiency: 23%
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AFT27S012NT1 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 13W; SMT; 20.9dB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 13W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 20.9dB
Efficiency: 22.6%
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; PLD-1.5W; 13W; SMT; 20.9dB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Case: PLD-1.5W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 2140MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 13W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 20.9dB
Efficiency: 22.6%
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AFT31150NR5 |
Виробник: NXP
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 741W; OM780-2; Pout: 150W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 741W
Case: OM780-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3100MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 150W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.2dB
Efficiency: 49%
кількість в упаковці: 50 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 741W; OM780-2; Pout: 150W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 741W
Case: OM780-2
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3100MHz
Kind of channel: enhanced
Output power: 150W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.2dB
Efficiency: 49%
кількість в упаковці: 50 шт
товар відсутній
BAP50-02,115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Power dissipation: 715mW
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Power dissipation: 715mW
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 22.47 грн |
30+ | 10.23 грн |
100+ | 8.71 грн |
140+ | 7.54 грн |
385+ | 7.13 грн |
BAP50-04,215 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 250mW; SOT23; double series; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
Semiconductor structure: double series
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 250mW; SOT23; double series; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
Semiconductor structure: double series
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 12.78 грн |
35+ | 8.5 грн |
100+ | 7.28 грн |
170+ | 6.29 грн |
460+ | 5.93 грн |
BAP51-02,115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 60V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 50mA
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Power dissipation: 715mW
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 60V; 50mA; 715mW; SOD523; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 50mA
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Power dissipation: 715mW
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7550 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 32.92 грн |
12+ | 23.72 грн |
25+ | 18.34 грн |
100+ | 12.95 грн |
128+ | 8.27 грн |
350+ | 7.82 грн |
3000+ | 7.55 грн |
BAP51-03,115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 500mW; SOD323; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; 500mW; SOD323; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.95V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.08 грн |
14+ | 21.2 грн |
97+ | 10.88 грн |
266+ | 10.25 грн |
3000+ | 9.89 грн |
BAP64-02,115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 715mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 715mW
Case: SOD523
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BAP64-03,115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 34.86 грн |
15+ | 19.05 грн |
100+ | 10.97 грн |
147+ | 7.17 грн |
404+ | 6.78 грн |
15000+ | 6.56 грн |
BAP64-05,215 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common cathode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common cathode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BAP64-06,215 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common anode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common anode; double
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 175V; 100mA; 250mW; SOT23; double,common anode
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 175V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common anode; double
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.95V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 23.24 грн |
15+ | 19.05 грн |
25+ | 16.36 грн |
100+ | 13.31 грн |
129+ | 8.18 грн |
355+ | 7.73 грн |
BAP65-02,115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.1A
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.9V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Power dissipation: 715mW
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 715mW; SOD523; single diode
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.1A
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.9V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Power dissipation: 715mW
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 35.83 грн |
11+ | 27.45 грн |
65+ | 16.18 грн |
179+ | 15.29 грн |
1000+ | 14.75 грн |
BAP65-03,115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.9V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 500mW; SOD323; single diode
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.9V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 24.21 грн |
100+ | 14.29 грн |
103+ | 10.25 грн |
282+ | 9.71 грн |
1000+ | 9.44 грн |
3000+ | 9.35 грн |
BAP70-02,115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 415mW; SOD523; single diode
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD523
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.9V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 415mW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 415mW; SOD523; single diode
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD523
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 0.9V
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 415mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14020 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.08 грн |
14+ | 20.82 грн |
100+ | 13.13 грн |
115+ | 9.14 грн |
316+ | 8.64 грн |
3000+ | 8.45 грн |
BB135.115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 1.7...21pF
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 1.7...21pF
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BB173X |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 32V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape
Load current: 20mA
Max. off-state voltage: 32V
Type of diode: varicap
Capacitance: 2.36...42.35pF
Features of semiconductor devices: RF
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 32V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape
Load current: 20mA
Max. off-state voltage: 32V
Type of diode: varicap
Capacitance: 2.36...42.35pF
Features of semiconductor devices: RF
Case: SOD523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 24.4 грн |
25+ | 21.1 грн |
70+ | 15.56 грн |
190+ | 14.75 грн |
BB208-02,115 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 10V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 20mA
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: RF
Mounting: SMD
Capacitance: 4.5...23.2pF
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Type of diode: varicap
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 10V; 20mA; SOD523; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 20mA
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: RF
Mounting: SMD
Capacitance: 4.5...23.2pF
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 0.2µA
Type of diode: varicap
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BBY40,215 |
Виробник: NXP
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOT23; single diode; reel,tape; Ir: 20nA
Load current: 20mA
Max. off-state voltage: 30V
Type of diode: varicap
Capacitance: 4.3...32pF
Features of semiconductor devices: RF
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOT23; single diode; reel,tape; Ir: 20nA
Load current: 20mA
Max. off-state voltage: 30V
Type of diode: varicap
Capacitance: 4.3...32pF
Features of semiconductor devices: RF
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 44.54 грн |
10+ | 30.81 грн |
71+ | 14.84 грн |
195+ | 14.03 грн |
6000+ | 13.49 грн |
BFT25,215 |
Виробник: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 30mW
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Frequency: 2.3GHz
Collector-emitter voltage: 5V
Current gain: 40
Collector current: 6.5mA
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 5V; 6.5mA; 30mW; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 30mW
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Frequency: 2.3GHz
Collector-emitter voltage: 5V
Current gain: 40
Collector current: 6.5mA
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 21.3 грн |
25+ | 14.29 грн |
96+ | 10.97 грн |
264+ | 10.34 грн |
BFU520AR |
Виробник: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5534 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 46.48 грн |
8+ | 36.6 грн |
43+ | 24.91 грн |
117+ | 23.56 грн |
500+ | 23.29 грн |
1000+ | 22.57 грн |
BFU520XAR |
Виробник: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT143B
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10.5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT143B
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10.5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BFU530WX |
Виробник: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT323
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT323
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 68.75 грн |
9+ | 33.62 грн |
25+ | 29.04 грн |
44+ | 24.41 грн |
119+ | 23.08 грн |
BFU550AR |
Виробник: NXP
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9620 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 38.73 грн |
11+ | 27.08 грн |
13+ | 21.58 грн |
100+ | 11.87 грн |
106+ | 9.97 грн |
290+ | 9.43 грн |
500+ | 9.08 грн |