Продукція > ZXT
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZXT1053A | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT1053AK | ZETEX | DPAK | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT1053AK | ZETEX | 07+ DPAK | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT1053AK | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT1053AKQTC | Diodes Zetex | 75V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN D-PAK | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT1053AKQTC | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT1053AKQTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor TO252 T&R 2.5K | на замовлення 4790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT1053AKQTC | Diodes Inc | 75V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN D-PAK | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT1053AKQTC | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR TO252 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 11450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT1053AKTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 75V 4500MA | на замовлення 9166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT1053AKTC | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 75V 5A 4000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT1053AKTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT1053AKTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 75 V, 5 A, 4 W, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 75V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT1053AKTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 75V 5A 4000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT1053AKTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 75V 5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 4 W | на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT1053AKTC | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 75V; 5A; 2.1W; TO252 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 75V Collector current: 5A Power dissipation: 2.1W Case: TO252 Current gain: 300...1200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 140MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT1053AKTC | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 75V; 5A; 2.1W; TO252 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 75V Collector current: 5A Power dissipation: 2.1W Case: TO252 Current gain: 300...1200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 140MHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT1053AKTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT1053AKTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 75 V, 5 A, 4 W, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 75V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT1053AKTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 75V 5A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 4 W | на замовлення 33456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT1053AKTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 75V 5A 4000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10N15DE6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT10N15DE6 (транзистор біполярный NPN) Код товару: 23944 | Zetex | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23-6 Uceo,V: 15 V Ucbo,V: 15 V Ic,A: 4 A | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10N15DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 4A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-26 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10N15DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 4A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-26 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10N15DE6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 15V NPN SuperSOT4 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10N15DE6TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 15V 4A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10N15DE6TA | Semtch | 03/04+ SOT23-6 | на замовлення 60100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT10N15DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 4A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-26 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 9347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10N15DE6TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 4A SOT23-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10N20DE6 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10N20DE6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT10N20DE6TA | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT10N20DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 3.5A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 26741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10N20DE6TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 20V 3.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10N20DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 3.5A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10N20DE6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 20V NPN SuperSOT4 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10N20DE6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 20V 3.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10N20DE6TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 3.5A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.1 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10N50DE6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT10N50DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 50V 3A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 90887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10N50DE6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10N50DE6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10N50DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 50V 3A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10N50DE6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 50V NPN SuperSOT4 | на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10N50DE6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT10N50DE6TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.7 W, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 165MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10N50DE6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10N50DE6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10N50DE6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT10N50DE6TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.7 W, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 165MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10N50DE6TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 50V 3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10N50DE6TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 50V 3A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.1 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10P020DE6 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT10P12DE6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT10P12DE6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 12V PNP SuperSOT4 | на замовлення 2165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10P12DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 12V 3A SOT23-6 | на замовлення 1225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT10P12DE6TA | ZETEX | 03/04+ SOT23-6 | на замовлення 80100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT10P12DE6TA | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 12V 3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10P12DE6TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 12V 3A SOT23-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10P20DE6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT10P20DE6QTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 2.5A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-26 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10P20DE6QTA | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10P20DE6QTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 2.5A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-26 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10P20DE6QTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10P20DE6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 20V PNP SuperSOT4 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10P20DE6TA | zetex | 2007 SOT23-6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT10P20DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 2.5A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-26 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10P20DE6TA | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 20V 2.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10P20DE6TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 2.5A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-26 Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.1 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10P40DE6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT10P40DE6TA | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 40V 2A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT10P40DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 190MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 50938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10P40DE6TA | на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT10P40DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 190MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10P40DE6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 40V PNP SuperSOT4 | на замовлення 3829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT10P40DE6TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 2A SOT23-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT11C20DFTA | ZETEX | SOT23 | на замовлення 1760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT11N15DF | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT11N15DFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 3A SOT23-3 | на замовлення 49885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT11N15DFTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 15V NPN SuperSOT4 | на замовлення 7286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT11N15DFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 3A SOT23-3 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT11N15DFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 3A SOT23-3 | на замовлення 49885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT11N15DFTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 15V 3A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT11N15DFTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 3A SOT23-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT11N20DF | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT11N20DFTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 20V NPN SuperSOT4 | на замовлення 341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT11N20DFTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT11N20DFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2.5 A, 806 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT11N20DFTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 20V 2.5A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT11N20DFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 20V 2.5A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT11N20DFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 7979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT11N20DFTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT11N20DFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 2.5 A, 806 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 806mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT11N20DFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 20V 2.5A 806mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT11N20DFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT11N20DFTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 625 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12N12DX | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT12N20DX | ZETEX | MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT12N20DX | ZETEX | 07+ MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT12N20DXTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 20V 3.5A 1250mW 8-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12N20DXTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 20V; 3.5A; 0.87W; MSOP8 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 3.5A Power dissipation: 0.87W Case: MSOP8 Pulsed collector current: 15A Current gain: 40...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 112MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12N20DXTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT12N20DXTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 3.5 A, 1.04 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 112MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: MSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SuperSOT4 Verlustleistung, NPN: 1.04W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3.5A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT12N20DXTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 20V 3.5A 8MSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.04W Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 112MHz Supplier Device Package: 8-MSOP Part Status: Active | на замовлення 6994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT12N20DXTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 20V; 3.5A; 0.87W; MSOP8 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 3.5A Power dissipation: 0.87W Case: MSOP8 Pulsed collector current: 15A Current gain: 40...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 112MHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12N20DXTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 20V NPN | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT12N20DXTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 20V 3.5A 8MSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.04W Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 112MHz Supplier Device Package: 8-MSOP Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT12N20DXTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT12N20DXTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 3.5 A, 1.04 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 112MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: MSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SuperSOT4 Verlustleistung, NPN: 1.04W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3.5A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT12N20DXTA | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT12N20DXTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 20V 3.5A 8MSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.04W Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 112MHz Supplier Device Package: 8-MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12N20DXTR | на замовлення 706 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT12N50DX | ZETEX | MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT12N50DX | ZETEX | 07+ MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT12N50DXTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT12N50DXTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 3 A, 1.04 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 132MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: MSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SuperSOT4 Verlustleistung, NPN: 1.04W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT12N50DXTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.04W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 132MHz Supplier Device Package: 8-MSOP Part Status: Active | на замовлення 161416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT12N50DXTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN | на замовлення 967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT12N50DXTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT12N50DXTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 3 A, 1.04 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 150hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 132MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: MSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SuperSOT4 Verlustleistung, NPN: 1.04W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT12N50DXTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 3A; 0.87W; MSOP8 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 3A Power dissipation: 0.87W Case: MSOP8 Pulsed collector current: 10A Current gain: 50...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 132MHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12N50DXTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.04W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 132MHz Supplier Device Package: 8-MSOP Part Status: Active | на замовлення 161000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT12N50DXTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 50V 3A 1250mW 8-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12N50DXTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 3A; 0.87W; MSOP8 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 3A Power dissipation: 0.87W Case: MSOP8 Pulsed collector current: 10A Current gain: 50...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 132MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12N50DXTA | на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT12N50DXTC | на замовлення 6100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT12N50DXTC | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 50V 3A 1250mW 8-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12N50DXTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.04W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 132MHz Supplier Device Package: 8-MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12N50DXTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12P12DX | ZETEX | MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT12P12DX | ZETEX | 07+ MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT12P12DXTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 12V 3A 8MSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.04W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 30mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: 8-MSOP Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12P12DXTA | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 12V; 3A; 0.87W; MSOP8 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 3A Power dissipation: 0.87W Case: MSOP8 Pulsed collector current: 15A Current gain: 20...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 85MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12P12DXTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 12V PNP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12P12DXTA | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 12V; 3A; 0.87W; MSOP8 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 3A Power dissipation: 0.87W Case: MSOP8 Pulsed collector current: 15A Current gain: 20...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 85MHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12P12DXTA | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT12P12DXTA | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 12V 3A 1250mW 8-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12P12DXTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 12V 3A 8MSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.04W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 30mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: 8-MSOP Part Status: Active | на замовлення 1388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT12P12DXTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 12V 3A 8MSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.04W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 30mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: 8-MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12P12DXTR | ZETEX | 2004 | на замовлення 483 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT12P20DE6TA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT12P20DX | ZETEX | 07+ MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT12P20DX | ZETEX | MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT12P20DXTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 20V 2.5A 8MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12P20DXTA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT12P20DXTA Код товару: 104149 | Мікросхеми > Інші мікросхеми 8542 39 90 00 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZXT12P20DXTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 20V 2.5A 8MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12P20DXTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 20V 2.5A 8MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12P40DX | ZETEX | 07+ MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT12P40DX | ZETEX | MSOP8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT12P40DXTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 400V PNP | на замовлення 4545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT12P40DXTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 2A 1250mW 8-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12P40DXTA | на замовлення 214 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT12P40DXTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT12P40DXTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 40 V, 2 A tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.04W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: 130MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: MSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SuperSOT4 Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT12P40DXTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 40V 2A 8MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12P40DXTA | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 40V 2A 1250mW 8-Pin MSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12P40DXTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT12P40DXTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 40 V, 2 A tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.04W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: 130MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: MSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SuperSOT4 Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT12P40DXTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 2A 1250mW 8-Pin MSOP T/R | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT12P40DXTA | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 2A; 0.87W; MSOP8 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 2A Power dissipation: 0.87W Case: MSOP8 Pulsed collector current: 5A Current gain: 10...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12P40DXTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 40V 2A 8MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12P40DXTA | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 2A; 0.87W; MSOP8 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 2A Power dissipation: 0.87W Case: MSOP8 Pulsed collector current: 5A Current gain: 10...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT12P40DXTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 40V 2A 8MSOP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13N15DE6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT13N15DE6 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13N15DE6TA | ZETEX | 2003 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT13N15DE6TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 15V 5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13N15DE6TA Код товару: 30307 | Мікросхеми > Драйвери світлодіодів | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZXT13N15DE6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 15V NPN SuperSOT4 | на замовлення 4590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13N15DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 5A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 72MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13N15DE6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 15V 5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13N15DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 5A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 72MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13N15DE6TA | ZETEX | SOT163 | на замовлення 8850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT13N15DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 5A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 72MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 14582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13N15DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 5A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 72MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13N15DE6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 15V 5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13N15DE6TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 5A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 72MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 1.1 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13N20DE6 | ZETEX | на замовлення 470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXT13N20DE6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT13N20DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 4.5A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 45mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 96MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 9622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13N20DE6TA | zetex | 2007 SOT23-6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT13N20DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 4.5A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 45mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 96MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13N20DE6TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 20V 4.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13N20DE6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 20V NPN SuperSOT4 | на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13N20DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 4.5A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 45mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 96MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13N20DE6TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 4.5A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 45mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 96MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.1 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13N50DE5TA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT13N50DE6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT13N50DE6 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT13N50DE6 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.1 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 450 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 115 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13N50DE6QTA | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR SOT26 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 100mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 115MHz Supplier Device Package: SOT-26 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.1 W Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13N50DE6QTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 50V 4A 1700mW Automotive 6-Pin SOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13N50DE6QTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT26 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13N50DE6TA | ZETEX | 03/04+ SOT23-6 | на замовлення 6100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT13N50DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 50V 4A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 115MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 115845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13N50DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 50V 4A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 115MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13N50DE6TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 50V 4A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13N50DE6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Low Sat | на замовлення 8992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13N50DE6TC | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13N50DE6TC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 50V NPN SuperSOT4 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13P12DE6 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT13P12DE6 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.1 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 55MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13P12DE6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT13P12DE6 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT13P12DE6 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.1 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 55MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13P12DE6 | ZETEX | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXT13P12DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 12V 4A SOT23-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13P12DE6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 12V PNP SuperSOT4 | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13P12DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 12V 4A SOT23-6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT13P12DE6TA | DIODES INCORPORATED | ZXT13P12DE6TA PNP SMD transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13P12DE6TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 12V 4A SOT23-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13P20DE6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT13P20DE6TA | semtech | 03/04+ SOT23-6 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT13P20DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 4A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 350mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: SOT-26 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 48816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13P20DE6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT13P20DE6TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 3.5 A, 1.7 W, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13P20DE6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 20V PNP SuperSOT4 | на замовлення 15583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13P20DE6TA | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 20V 3.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13P20DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 4A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 350mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: SOT-26 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13P20DE6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT13P20DE6TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 3.5 A, 1.7 W, SOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13P20DE6TA/P20D | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT13P20DE6TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 4A SOT23-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13P40DE6 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT13P40DE6QTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT26 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT13P40DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 115MHz Supplier Device Package: SOT-26 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13P40DE6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 40V PNP SuperSOT4 | на замовлення 24293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13P40DE6TA | ZETEX | 07+ SOT-163 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT13P40DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 115MHz Supplier Device Package: SOT-26 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 32544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT13P40DE6TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT23-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT14N50DXTA | ZETEX | 2000 | на замовлення 355 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT14P12DXTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP LO SAT -12V -6A 8-MSOP | на замовлення 752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT14P20DXTA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT14P40DXTA | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT14P40DXTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP LO SAT -40V -4A 8-MSOP | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT1M322 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT1M322TA | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 12V 4A 3-Pin MLP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT1M322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 12V 4A 2X2MM 3-MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT1M322TA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT1M322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 12V 4A 2X2MM 3-MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT214C | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT24-IO-222R2 | B+B SmartWorx | RF Modules 2.4 GHZ ANALOG IO 2.4. GHz Wreless I/O | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT24-IO-222R2 | B&B SmartWorx, Inc. | Description: ZLINX XTREME 2.4GHZ WIRELESS I/O | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT24-RM | B+B SmartWorx | RF Modules 2.4 GHZ RADIO MODEM 2.4 GHz Radio Modem | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT2M322 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT2M322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 3.5A 2X2MM 3-MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT2M322TA | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 20V 3.5A 3000mW 3-Pin MLP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT2M322TA | ZETEX | 2006PB | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT2M322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 20V 3.5A 2X2MM 3-MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT3M322 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT3M322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 3A 3-MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT3M322TA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT3M322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 3A 3-MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT4M322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 70V 2.5A 3-MLP | на замовлення 2816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT4M322TA | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 70V 2.5A 3-Pin MLP EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT4M322TA | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT4M322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 70V 2.5A 3-MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT4M322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 70V 2.5A 3-MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT690BK | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT690BK | ZETEX | DPAK | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT690BK | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT690BK | ZETEX | 07+ DPAK | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT690BKQTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 3A 4000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT690BKQTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 3A 4000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT690BKQTC | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.6 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT690BKQTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 3A 4000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT690BKQTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 3A 4000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT690BKQTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 3A 4000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT690BKQTC | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 45V 3A 4000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT690BKQTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 3A 4000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT690BKQTC | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR TO252 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.6 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 49988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT690BKQTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor TO252 T&R 2.5K | на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT690BKTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 3A 4000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT690BKTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 3A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 3.9 W | на замовлення 7740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT690BKTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 3A 4000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT690BKTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 3A 4000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT690BKTC | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 45V 3A 4000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT690BKTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 3.9 W | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT690BKTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN Low Saturation | на замовлення 12713 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT690BKTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 3A 4000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT690BKTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT690BKTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 2287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT690BKTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 3A 4000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT690BKTC | ZETEX | 09NOPB | на замовлення 6872 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT790A | ZETEX | TO-252 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT790AK | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT790AK | ZETEX | DPAK | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT790AK | ZETEX | 07+ DPAK | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT790AK | ZETZX | 09+ SOP-8 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT790AKTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT790AKTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP Low Saturation | на замовлення 11744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT790AKTC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT790AKTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT790AKTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.9 W, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.9W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT790AKTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT790AKTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 40V 3A D-PAK | на замовлення 12061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT790AKTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT790AKTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.9 W, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.9W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT849K | ZETEX | DPAK | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT849K | ZETEX | 07+ DPAK | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT849K | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT849KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT849KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 7 A, 4.2 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT849KTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 7A 4200mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT849KTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 30V 7A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 350mA, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 4.2 W | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT849KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT849KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 7 A, 4.2 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT849KTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 30V | на замовлення 2978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT849KTC | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT849KTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 7A 4200mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT849KTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 30V 7A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 350mA, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 4.2 W | на замовлення 16173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT855STZ | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXT9-ANT | B+B SmartWorx | Antennas 900 MHZ SPARE ANT RPSMA 3DBI | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT9-ANT | B&B SmartWorx, Inc. | Description: SPARE ANT 900MHZ RPSMA 3DBI | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT9-IO-222R2 | B&B SmartWorx, Inc. | Description: ZLINX XTREME 900MHZ WIRELESS I/O | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT9-IO-222R2 | B+B SmartWorx | RF Modules 900MHZ ANALOG IO 900 MHz WS I/O | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT9-IOA-KIT | B+B SmartWorx | RF Modules Zlinx Xtrem Wireless Pt To Pt Kit 900Mhz | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT9-IOA-KIT | B&B SmartWorx, Inc. | Description: KIT EVAL ZLINX XTREME ZXT9 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT9-RM | B+B SmartWorx | RF Modules 900 MHZ RADIO MODEM 900 MHz WS Radio Mod | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT9-RM-KIT | B&B SmartWorx, Inc. | Description: 2 ZXT 900 MHZ RADIO MODEM, 2 IP6 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT9-RM-KIT | B+B SmartWorx | RF Development Tools Xtreme 900MHz RADIO MODEM KIT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT951K | ZETEX | DPAK | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT951K | ZETEX | 07+ DPAK | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT951KQTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor | на замовлення 2376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT951KQTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 6A 4200mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT951KQTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 6A TO252 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT951KTC | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 60V 6A 4200mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT951KTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 6A TO252-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT951KTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 6A 4200mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT951KTC Код товару: 163849 | Транзистори > Біполярні PNP | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZXT951KTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP 60V | на замовлення 16247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT951KTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 6A 4200mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT951KTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 60V 6A TO252-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT953K | ZETEX | 07+ DPAK | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT953K | ZETEX | DPAK | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT953KTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 5A 4200mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT953KTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 5A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 4.2 W | на замовлення 18941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT953KTC | Zetex | 2006 | на замовлення 1805 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXT953KTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 5A 4200mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT953KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT953KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 4.2 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT953KTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP 100V | на замовлення 3345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT953KTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 100V 5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 4.2 W | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXT953KTC | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 100V 5A 4200mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT953KTC | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 100V 5A 4200mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXT953KTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXT953KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 4.2 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 15 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTAM322 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTAM322TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 15V 5A 3-Pin MLP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTAM322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 4.5A 3MLP/DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-MLP/DFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 3 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTAM322TA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTAM322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 4.5A 3MLP/DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-MLP/DFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 3 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTBM322 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTBM322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 4.5A 2X2MM 3-MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTBM322TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 20V 5A 3-Pin MLP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTBM322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 4.5A 2X2MM 3-MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC2045E6 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC2045E6 - Bipolares Transistor-Array, universell, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 30 V, 30 V, 1.5 A tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 265MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.1W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.5A Übergangsfrequenz, PNP: 195MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 300hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2045E6 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC2045E6 - Bipolares Transistor-Array, universell, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 30 V, 30 V, 1.5 A tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 300hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 265MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.1W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.5A Übergangsfrequenz, PNP: 195MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 300hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2045E6QTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 30V NPN PNP 40V 30Vceo 7Vebo 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC2045E6QTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2045E6QTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 30V 1.5A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 265MHz, 195MHz Supplier Device Package: SOT-26 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2045E6QTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC2045E6QTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2045E6QTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2045E6QTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC2045E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2045E6TA | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC2045E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2045E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC2045E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 30V 1.5A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active | на замовлення 107483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2045E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2045E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTC2045E6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN & PNP 40 Volt | на замовлення 56778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2045E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2045E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 30V 1.5A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2045E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2045E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTC2045E6TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN/PNP 30V 1.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2061E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 12V 5A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC2061E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC2061E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 12 V, 12 V, 5 A, 5 A, 1.1 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 260hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 260MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 1.1W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 5A Übergangsfrequenz, PNP: 310MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 260hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 5A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2061E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 12V 5A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2061E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 5A, 3.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 5A / 200mV @ 350mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 480 @ 1A, 2V / 290 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SOT-26 | на замовлення 23950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2061E6TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN/PNP 12V 5A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC2061E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 12V 5A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC2061E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC2061E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 12 V, 12 V, 5 A, 5 A, 1.1 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 260hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 260MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 1.1W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 5A Übergangsfrequenz, PNP: 310MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 260hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 5A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2061E6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 12V 1A Medium Power TRANSISTOR | на замовлення 2891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2061E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 12V 5A/3.5A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 5A, 3.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 5A / 200mV @ 350mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 480 @ 1A, 2V / 290 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SOT-26 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2062E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 7666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2062E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 215MHz, 290MHz Supplier Device Package: SOT-26 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2062E6TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC2062E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2062E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC2062E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 1.1 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 140hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.1W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A Übergangsfrequenz, PNP: 290MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 140hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2062E6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 20V 1A Complementary Med power transisto | на замовлення 1642 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2062E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 7666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2062E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 195000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2062E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 215MHz, 290MHz Supplier Device Package: SOT-26 | на замовлення 33011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2062E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2062E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC2062E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC2062E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 1.1 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 140hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.1W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A Übergangsfrequenz, PNP: 290MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 140hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2063E6 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC2063E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2063E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC2063E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 700 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 190MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 700mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3.5A Übergangsfrequenz, PNP: 270MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 700mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3.5A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2063E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 330000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2063E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2063E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A, 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 190MHz, 270MHz Supplier Device Package: SOT-26 | на замовлення 381000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2063E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2063E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2063E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC2063E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 700 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 190MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 700mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3.5A Übergangsfrequenz, PNP: 270MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 700mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3.5A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2063E6TA | DIODES INCORPORATED | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 3.5/3A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 3.5/3A Power dissipation: 1.7W Case: SOT26 Current gain: 20...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | на замовлення 2888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2063E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2063E6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 40V 1A Medium Power TRANSISTOR | на замовлення 9204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2063E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2063E6TA | DIODES INCORPORATED | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 40V; 3.5/3A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 3.5/3A Power dissipation: 1.7W Case: SOT26 Current gain: 20...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2888 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2063E6TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2063E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2063E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A, 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 190MHz, 270MHz Supplier Device Package: SOT-26 | на замовлення 385735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC2063E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC4591AMCQTA | Diodes Incorporated | Description: SS MID-PERF TRANSISTOR U-DFN3020 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Current - Collector (Ic) (Max): 2.5A, 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC4591AMCQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transistor U-DFN3020-8 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC4591AMCQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 2.5A/2A 2450mW Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC4591AMCQTA | Diodes Incorporated | Description: SS MID-PERF TRANSISTOR U-DFN3020 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Current - Collector (Ic) (Max): 2.5A, 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 Part Status: Active | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC4591AMCQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 2.5A/2A 2450mW Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC4591AMCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 40V 2A/1.5A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Current - Collector (Ic) (Max): 2A, 1.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC4591AMCTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 2.5A/2A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC4591AMCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 2.5A/2A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC4591AMCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 40V 2A/1.5A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Current - Collector (Ic) (Max): 2A, 1.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC4591AMCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 40V High Perf Trans Ic = 3A 500mV 1A | на замовлення 2657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC4591AMCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 40V 2A/1.5A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Current - Collector (Ic) (Max): 2A, 1.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC4591AMCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 2.5A/2A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC6717MC | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTC6717MCQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 15V/12V 5A/4.45A Automotive AEC-Q101 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6717MCQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor U-DFN3020-8 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC6717MCQTA | Diodes Incorporated | Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN3020- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.13W Current - Collector (Ic) (Max): 4.5A, 4A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A / 310mV @ 150mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz, 110MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6717MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 15V/12V 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4.5A, 4A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A / 310mV @ 150mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz, 110MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | на замовлення 33274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6717MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 15V/12V 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4.5A, 4A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A / 310mV @ 150mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz, 110MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6717MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 15V 5A/4.45A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6717MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 15V/12V 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4.5A, 4A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A / 310mV @ 150mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz, 110MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6717MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 15V 5A/4.45A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC6717MCTA | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTC6717MCTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN/PNP 15V 5A/4.45A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC6717MCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 15V NPN 12V PNP Bvceo 15V IC 4.5A | на замовлення 3839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6718MCQTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN/PNP 20V 5A/3.8A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC6718MCQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6718MCQTA | Diodes Incorporated | Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN3020 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC6718MCQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 20V 5A/3.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC6718MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4.5A, 3.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz, 180MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | на замовлення 4427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6718MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 20V 5A/3.8A 3000mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6718MCTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN/PNP 20V 5A/3.8A 3000mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC6718MCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Comp Dual 20V 20V 4.5A IC 47mOhm | на замовлення 3124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6718MCTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC6718MCTA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 1.7 W tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 140MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 1.7W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4.5A Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: W-DFN3020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4.5A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6718MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4.5A, 3.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz, 180MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6718MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 20V 5A/3.8A 3000mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC6718MCTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC6718MCTA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 1.7 W tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 140MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 1.7W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4.5A Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: W-DFN3020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4.5A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6719MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 165MHz, 190MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 | на замовлення 14301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6719MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 4.5A/3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6719MCTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC6719MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 4.5 A, 4.5 A, 1.7 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.7W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4.5A Übergangsfrequenz, PNP: 190MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4.5A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6719MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 165MHz, 190MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6719MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 4.5A/3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC6719MCTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 4.5A/3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC6719MCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN 40V PNP Low SAT Trans | на замовлення 15788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6719MCTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC6719MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 4.5 A, 4.5 A, 1.7 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.7W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4.5A Übergangsfrequenz, PNP: 190MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4.5A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6720MCTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC6720MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 4 A, 4 A, 1.7 W tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 160MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.7W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6720MCTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN/PNP 80V 4A/3A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC6720MCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 80V NPN 70V PNP VCEO 80V Rsat 68mOh | на замовлення 1541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6720MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 80V/70V 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A, 2.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V, 70V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V Frequency - Transition: 160MHz, 180MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6720MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 80V 4A/3A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6720MCTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC6720MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 4 A, 4 A, 1.7 W tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 160MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.7W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6720MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 80V/70V 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A, 2.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V, 70V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V Frequency - Transition: 160MHz, 180MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 | на замовлення 9236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTC6720MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 80V 4A/3A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTC6720MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 80V/70V 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A, 2.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V, 70V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V Frequency - Transition: 160MHz, 180MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 | на замовлення 11939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTCM322 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTCM322TA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTCM322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 50V 4A 3MLP/DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: 3-MLP/DFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTCM322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 50V 4A 3MLP/DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: 3-MLP/DFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTCM322TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 50V 4A 3-Pin MLP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD09N50DE | на замовлення 3450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTD09N50DE6 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD09N50DE6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD09N50DE6TA | на замовлення 238 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTD09N50DE6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD09N50DE6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 366000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD09N50DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active | на замовлення 366942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD09N50DE6TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD09N50DE6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN | на замовлення 3734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD09N50DE6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD09N50DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active | на замовлення 357000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD09N50DE6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD09N50DE6TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-26 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD1M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 12V 4A 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD1M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 12V 4A 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD2090E6 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD2090E6TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD2090E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD2090E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active | на замовлення 336000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD2090E6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN Low Sat Switching Tran 160mV | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD2090E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 336000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD2M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 20V 3.5A 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD2M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 20V 3.5A 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD2M832TA | ZETEX | SOT163 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTD2M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 20V 3.5A 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD3M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 40V 3A 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD3M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 40V 3A 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD3M832TA | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTD3M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 40V 3A 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD4591AM832TA | на замовлення 1228 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTD4591AM832TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 2A/1.5A 8-Pin MLP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD4591AM832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 40V 2A/1.5A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 2A, 1.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 8-MLP (3x2) Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD4591E6 Код товару: 152252 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZXTD4591E6 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD4591E6T | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTD4591E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTD4591E6TA - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 1 A, 1.1 W tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.1W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 150MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD4591E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD4591E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active | на замовлення 472202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD4591E6TA | DIODES INCORPORATED | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 60V; 1A; 1.1W Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180MHz | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD4591E6TA | DIODES INCORPORATED | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 60V; 1A; 1.1W Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 1.1W Case: SOT26 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD4591E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD4591E6TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD4591E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 567000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD4591E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTD4591E6TA - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 1 A, 1.1 W tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.1W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 150MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD4591E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active | на замовлення 471000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD4591E6TA | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD4591E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD4591E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD4591E6TA Код товару: 187170 | Мікросхеми > Аналогові | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZXTD4591E6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 60V NPN/PNP | на замовлення 30701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD4591E6TA(UZXTD4591E6TA) | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTD4591E6TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD617MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD617MCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 15V NPN Low Sat 4.5A Ic 100mV 45mOhm | на замовлення 7842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD617MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 15V 4.5A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD617MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD617MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 15V 4.5A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD617MCTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 15V 5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD618MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 20V 4.5A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD618MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 20V 5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD618MCTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTD618MCTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 5 A, 1.7 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 140MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 5A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD618MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 20V 5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD618MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 20V 4.5A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD618MCTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 20V 5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD618MCTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTD618MCTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 5 A, 1.7 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 140MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 5A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD618MCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 20V NPN Low Sat Ic 4.5A 150mV | на замовлення 3069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD618MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 20V 5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD618MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 20V 5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD619MCTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 50V 4A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD619MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 4A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD619MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 50V 4A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | на замовлення 17920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD619MCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN Low Sat 4A Ic 68mOhm 6A HFE | на замовлення 27590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD619MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 4A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD619MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 50V 4A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD619MCTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTD619MCTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 4 A, 1.7 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD6717E6QTA | Diodes Incorporated | Description: SS LOW SAT TRANSISTOR SOT26 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD6717E6QTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD6717E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A, 1.25A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz, 220MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active | на замовлення 39161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD6717E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 15V 1.5A/1.25A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD6717E6TA | на замовлення 3562 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTD6717E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A, 1.25A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz, 220MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD6717E6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Comp Dual | на замовлення 6107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD6717E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 15V 1.5A/1.25A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD6717E6TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 15V/12V SOT23-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD717MCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 12V PNP Low Sat Ic -4A 60mOhm -10HFE | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD717MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 12V 4A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Current - Collector (Ic) (Max): 4A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD717MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 12V 4A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Current - Collector (Ic) (Max): 4A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD718MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 20V 3.5A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD718MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 20V 3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD718MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 20V 3.5A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD718MCTA | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 20V 3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD718MCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 20V PNP-20V 64mOhm 4.5A IC | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD718MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 20V 3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD718MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 20V 3.5A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 Part Status: Active | на замовлення 4418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD720MCTA | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 3A; 2.45W; DFN3020B-8 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 3A Power dissipation: 2.45W Case: DFN3020B-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 190MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2996 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD720MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 4763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD720MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 40V 3A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 190MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 | на замовлення 426000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD720MCTA | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTD720MCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 40V PNP Low Sat Ic -3A 104mOhm -3A | на замовлення 2679 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD720MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 498000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD720MCTA | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 3A; 2.45W; DFN3020B-8 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 3A Power dissipation: 2.45W Case: DFN3020B-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 190MHz | на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD720MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 4763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD720MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 40V 3A 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 190MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 | на замовлення 429640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTD720MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTDA1M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTDA1M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTDA1M832TA | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTDA1M832TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN/PNP 15V/12V 5A/4.4A 8-Pin MLP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTDA1M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTDAM832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 15V 4.5A 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTDAM832TA | на замовлення 3800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTDB2M832QTA | Diodes Inc | Complementary Dual 20V Low Saturation Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTDB2M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTDB2M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 20V 4.5A/3.5A 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTDB2M832TA | на замовлення 444 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTDBM832TA | на замовлення 565 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTDBM832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 20V 4.5A 8MLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: 8-MLP (3x2) | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTDC3M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP | на замовлення 1598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTDC3M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTDC3M832TA | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTDCM832AT | на замовлення 2089 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTDCM832TA | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTDCM832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 50V 4A 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTDCM832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 50V 4A 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTDCM832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN 50V 4A 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTDE4M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTDE4M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTDE4M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTDE4M832TA | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTDZM832TA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTEM322 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTEM322TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 80V 3.5A 3-Pin MLP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTEM322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 80V 3.5A 3-MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTEM322TA | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTEM322TA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 80V 3.5A 3-Pin MLP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTEM322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 80V 3.5A 3-MLP | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTMT | B+B SmartWorx | Cable Mounting & Accessories ZLINX XTREME CONDUIT KIT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN04120HFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN DARL 120V 1A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 32229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN04120HFFTA | Diodes Zetex | Trans Darlington NPN 120V 1A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | на замовлення 4671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN04120HFFTA | Diodes Inc | Trans Darlington NPN 120V 1A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN04120HFFTA | Diodes Zetex | Trans Darlington NPN 120V 1A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN04120HFFTA | Diodes Incorporated | Darlington Transistors NPN 120V DARLINGTON TRANSISTR | на замовлення 26163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN04120HFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN DARL 120V 1A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN04120HFFTA Код товару: 161477 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZXTN04120HFFTA | Diodes Zetex | Trans Darlington NPN 120V 1A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN04120HFFTA | Diodes Zetex | Trans Darlington NPN 120V 1A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | на замовлення 4671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN04120HKTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN04120HKTC - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 1.5 A, 1.5 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.5W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN04120HKTC | Diodes Incorporated | Darlington Transistors 120V NPN Med Trans Darlington 1.5A 1A | на замовлення 13814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN04120HKTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN DARL 120V 1.5A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 33278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN04120HKTC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN04120HKTC - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 1.5 A, 1.5 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 500hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.5W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN04120HKTC | Diodes Zetex | Trans Darlington NPN 120V 1.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN04120HKTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN DARL 120V 1.5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN04120HKTC | Diodes Inc | Trans Darlington NPN 120V 1.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN04120HKTC | Diodes Zetex | Trans Darlington NPN 120V 1.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN04120HP5TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN DARL 120V 1.5A PWRDI5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 3.2 W | на замовлення 1816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN04120HP5TC | Diodes Zetex | Trans Darlington NPN 120V 1.5A 3200mW 3-Pin(2+Tab) PowerDI 5 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN04120HP5TC | Diodes Inc | Trans Darlington NPN 120V 1.5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN04120HP5TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN DARL 120V 1.5A PWRDI5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 3.2 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN04120HP5TC | Diodes Incorporated | Darlington Transistors 120V NPN Med Pwr Darlington 1.5A 3.2W | на замовлення 4696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN04120HP5TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN DARL 120V 1.5A PWRDI5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 5 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: PowerDI™ 5 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 3.2 W | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN07012EFFTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 12V 4.5A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN07012EFFTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN07012EFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 4.5 A, 2 W, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN07012EFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 12V 4.5A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 45mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: SOT-23F Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 13188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN07012EFFTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 12V HIGH GAIN | на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN07012EFFTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN07012EFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 4.5 A, 2 W, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN07012EFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 12V 4.5A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 45mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: SOT-23F Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN07045EFF | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN07045EFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 4A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | на замовлення 2123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN07045EFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 4A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 80mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 190MHz Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 42362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN07045EFFTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN07045EFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 2 W, SOT-23F, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70 DC-Stromverstärkung hFE: 70 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4 Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 190 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN07045EFFTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 45V HIGH GAIN | на замовлення 12219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN07045EFFTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 45V 4A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN07045EFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 4A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN07045EFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 45V 4A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 80mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 190MHz Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN07045EFFTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN07045EFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 4 A, 2 W, SOT-23F, Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 Verlustleistung: 2 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4 | на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN07045EFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 45V 4A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | на замовлення 2123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN07060BGQTC | Diodes Incorporated | Diodes Inc. Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN07060BGQTC | Diodes Inc | Power Mid Perf Transistor SOT223 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN08400BFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN08400BFFTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.5A; SOT23F Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 0.5A Case: SOT23F Pulsed collector current: 1A Current gain: 10...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 40MHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN08400BFFTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.5A; SOT23F Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 0.5A Case: SOT23F Pulsed collector current: 1A Current gain: 10...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 40MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN08400BFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN08400BFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 100mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 647734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN08400BFFTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 400V Transistor | на замовлення 46273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN08400BFFTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN08400BFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 100mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 645000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN08400BFFTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN08400BFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 500 mA, 1.5 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN08400BNS-7 | Diodes Incorporated | Description: PWR TRANSISTOR POWERDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 830mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 100mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN08400BNS-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8 T&R 2K | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN10150DZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN10150DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 135MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN10150DZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 150V 1A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV Frequency - Transition: 135MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 316190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN10150DZTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 150V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN10150DZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN10150DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 135MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN10150DZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 150V 1A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV Frequency - Transition: 135MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 316000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN10150DZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 150V NPN LED Driver 150Vceo 1A 1.5W | на замовлення 1262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020CFF (транзистор біполярний NPN) Код товару: 34879 | Zetex | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23F fT: 150 MHz Uceo,V: 20 V Ucbo,V: 65 V Ic,A: 7 А h21: 500 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19020CFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 20V 7A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020CFFTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN19020CFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 7 A, 2 W, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020CFFTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 7A | на замовлення 13696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020CFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 7A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 280mA, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020CFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 20V 7A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19020CFFTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN19020CFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 7 A, 2 W, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020CFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 7A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 280mA, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.5 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19020CFFTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 20V 7A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19020DFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 6.5A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 180mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-23F Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020DFFTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 20V 6.5A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19020DFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 6.5A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 180mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-23F Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020DFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 20V 6.5A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19020DFFTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN19020DFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 6.5 A, 2 W, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 160 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6.5 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020DFFTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 20V HIGH GAIN | на замовлення 10741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020DGTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 20V 9A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19020DGTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 9A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 450mA, 9A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 9 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 3 W | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020DGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 20V 9A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19020DGTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 20V HIGH GAIN | на замовлення 1827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020DGTA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTN19020DGTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 9A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 450mA, 9A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 9 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 3 W | на замовлення 3816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020DZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 7.5A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 375mA, 7.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.1 W | на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020DZQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT89 T&R 1K | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020DZQTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 7.5A; SOT89; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 7.5A Case: SOT89 Pulsed collector current: 20A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 160MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19020DZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 7.5A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 375mA, 7.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1.1 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19020DZQTA | Diodes Inc | 20V NPN High Gain Transistor In SOT89 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19020DZQTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 7.5A; SOT89; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 7.5A Case: SOT89 Pulsed collector current: 20A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 160MHz Application: automotive industry | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19020DZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 20V 7.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19020DZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN19020DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 7.5 A, 27.8 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 27.8W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020DZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 7.5A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 375mA, 7.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 2.4 W | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020DZTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 20V 7.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19020DZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN19020DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 7.5 A, 27.8 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 27.8W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020DZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 20V 7.5A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 375mA, 7.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 2.4 W | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020DZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 20V HIGH GAIN | на замовлення 5337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19020DZTA | на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTN19055DZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN19055DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 55 V, 6 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 55 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19055DZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 20V NPN HIGH GAIN | на замовлення 2577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19055DZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 55V 6A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 14618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19055DZTA | на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTN19055DZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 55V 6A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19055DZTA Код товару: 67095 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZXTN19055DZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN19055DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 55 V, 6 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 30 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 55 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19055DZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 55V 6A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 600mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19055DZTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 55V 6A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19060CFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5.5A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 550mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5.5A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5.5A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CFFTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 60V 5.5A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19060CFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5.5A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 550mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-23F Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5.5A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CFFTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 60V Transitor | на замовлення 5968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5.5A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CGTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 60V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19060CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CGTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 7A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 700mA, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W | на замовлення 67000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CGTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN19060CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CGTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 7A | на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CGTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 7A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 700mA, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W | на замовлення 68606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CGTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN19060CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19060CW | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19100CFF | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19100CFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 4.5A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 235mV @ 450mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23F Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 807000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CFFTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4.5A; 840mW; SOT23F Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4.5A Power dissipation: 840mW Case: SOT23F Current gain: 200...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19100CFFTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN19100CFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 1.5 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 16000mW 3-Pin SOT-23F T/R | на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CFFTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4.5A; 840mW; SOT23F Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4.5A Power dissipation: 840mW Case: SOT23F Current gain: 200...500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19100CFFTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 4.5A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 235mV @ 450mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23F Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 807175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CFFTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN19100CFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 1.5 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CFFTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 16000mW 3-Pin SOT-23F T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN19100CFFTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 16000mW 3-Pin SOT-23F T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19100CFFTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 100V Transitor | на замовлення 20284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CGTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 5.5A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 550mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W | на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CGTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN19100CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 25 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CGTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19100CGTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 100V 5.5A | на замовлення 3938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CGTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 5.5A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 550mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W | на замовлення 23551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CGTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19100CZ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19100CZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 5.25A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 525mA, 5.25A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.4 W | на замовлення 33848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 5.25A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 5.25A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 525mA, 5.25A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.4 W | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 5.25A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 100V 5.25A | на замовлення 2762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN19100CZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 5.25A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN19100CZTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 100V 5.25A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2005G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2005G | ZETZX | 09+ SOIC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2005G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2005G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2005GTA | ZETEX | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXTN2005GTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 25V NPN Low Sat | на замовлення 1601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2005GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 7A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 150mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 3 W | на замовлення 24812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2005GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2005GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2005GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2005GTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2005GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 7A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 150mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 3 W | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2005GTA | DIODES/ZETEX | NPN 7A 25V 3W 150MHz ZXTN2005G smd TZXTN2005g кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2005GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2005GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2005GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2005GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2005GTC | ZETEX | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
ZXTN2005Z | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2005ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2005ZQTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2005ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 5.5A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 150mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2005ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2005ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2005ZQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2005ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 5.5A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 150mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2005ZTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 5.5A; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 5.5A Case: SOT89 Current gain: 40...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2005ZTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 5.5A; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 5.5A Case: SOT89 Current gain: 40...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2005ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2005ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2005ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2005ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 25V NPN Low Sat | на замовлення 1274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2005ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2005ZTA | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTN2005ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 5.5A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 150mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 38766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2005ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2005ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2005ZTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2005ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 25V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2005ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 25V 5.5A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 150mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2007G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2007G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2007G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2007G | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2007GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2007GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 30V 7A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 300mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 3 W | на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2007GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2007GTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 30V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2007GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2007GTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 30V NPN Low Sat | на замовлення 1459 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2007GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2007GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2007GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 30V 7A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 300mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 3 W | на замовлення 17918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2007GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2007GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2007GTA (транзистор біполярний NPN) Код товару: 26532 | Zetex | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-223 fT: 140 MHz Uceo,V: 30 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 7 А h21: 300 Монтаж: SMD | у наявності 45 шт: 45 шт - склад |
| ||||||||||||||||
ZXTN2007Z | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2007ZTA | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTN2007ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 30V NPN Low Sat | на замовлення 4242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2007ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2007ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2007ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2007ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2007ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 30V 6A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 300mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2007ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2007ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2007ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2007ZTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2007ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 30V 6A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 300mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 100803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010 | на замовлення 313 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTN2010A | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE Packaging: Bulk Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2010A | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2010A | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE Packaging: Bulk Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | на замовлення 6895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010A | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2010A | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2010ASTOA | Diodes Inc | Description: TRANSISTOR NPN 60V TO92-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2010ASTZ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat | на замовлення 4000 шт: термін постачання 836-845 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ASTZ | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 710 mW | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ASTZ | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2010ASTZ | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2010ASTZ | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 710 mW | на замовлення 15990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010G | ZETEX | 07+ SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2010G | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2010G | ZETEX | SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W | на замовлення 149866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W | на замовлення 149000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 1.6W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 6A Power dissipation: 1.6W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1382 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 1.6W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 6A Power dissipation: 1.6W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz | на замовлення 1382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat | на замовлення 2520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010Z | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2010Z | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2010Z | ZETEX | SOT-89 10+ | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2010ZQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor | на замовлення 8212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT89-3 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 474057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZQTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2010ZQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT89-3 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 473000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 15902000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZTA | DIODES/ZETEX | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ZXTN2010ZTA TZXTN2010ZTA Diodes кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 630666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Med Power | на замовлення 18628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 280000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 280000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2010ZTA Код товару: 118424 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZXTN2010ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 630000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011G | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 3W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011G | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 3W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011GTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Case: SOT223 Current gain: 10...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2011GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011GTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Med Power | на замовлення 2813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011GTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011GTA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTN2011GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2011GTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W | на замовлення 9617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011GTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011GTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 6A Case: SOT223 Current gain: 10...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2011GTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011Z | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2011Z | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2011ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2011ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 4.5A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011ZTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4.5A; 2.1W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4.5A Power dissipation: 2.1W Case: SOT89 Current gain: 10...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 305 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011ZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Med Power | на замовлення 1335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011ZTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4.5A; 2.1W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4.5A Power dissipation: 2.1W Case: SOT89 Current gain: 10...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz | на замовлення 305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011ZTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2011ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2011ZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2011ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011ZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 4.5A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W | на замовлення 2265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011ZTA | DIODES/ZETEX | Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ZXTN2011ZTA TZXTN2011ZTA Diodes кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2011ZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2018FQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor | на замовлення 4920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2018FQTA | Diodes Inc | Pwr Low Sat Transistor SOT23 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2018FQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 44459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2018FQTA | Diodes Zetex | NPN Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2018FQTA | Diodes Zetex | NPN Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2018FQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2018FQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2018FQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2018FQTA | Diodes Zetex | NPN Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2018FQTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2018FQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2018FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2018FTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.2 W | на замовлення 141283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2018FTA | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTN2018FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2018FTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 60V Transistor | на замовлення 27573 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2018FTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 60V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2018FTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.2 W | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2018FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2020FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2020FTA | Diodes INC. | Транзистор NPN; Uceo, В = 100; Ic = 4 А; ft, МГц = 130; hFE = 100 @ 1 А, 2 В; Icutoff-max = 20 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,15 @ 400 мA, 4 А; Р, Вт = 1,2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 | на замовлення 5 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2020FTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 100V Transistor | на замовлення 41181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2020FTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2020FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2020FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2020FTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.2 W | на замовлення 11385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2020FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2020FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2020FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2020FTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 100V Transistor | на замовлення 20 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2020FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2020FTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 100V 4A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.2 W | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2020FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2020FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2031FTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 50V 5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 250mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.2 W | на замовлення 447000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2031FTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 5A; 1.56W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 5A Power dissipation: 1.56W Case: SOT23 Current gain: 80...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz | на замовлення 1964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2031FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2031FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2031FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2031FTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 5A; 1.56W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 5A Power dissipation: 1.56W Case: SOT23 Current gain: 80...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 125MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1964 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2031FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2031FTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2031FTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 1.2 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 16939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2031FTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 50V 5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 170mV @ 250mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.2 W | на замовлення 449395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2031FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2031FTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power | на замовлення 33620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2031FTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 50V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2031FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 5A 1560mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2031FTA | DIODES/ZETEX | NPN 5A 50V 1.2W 125MHz ZXTN2031FTA Diodes TZXTN2031f кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2031FTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2031FTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 1.2 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 16939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2038F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2038F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2038F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN2038F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2038FTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 350 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2038FTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 1A | на замовлення 2132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2038FTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 60V 1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2038FTA | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTN2038FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2038FTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 5050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2040FTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 40V 1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2040FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 741000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2040FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2040FTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2040FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
ZXTN2040FTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 40V 1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2040FTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 40V 1A 3-PIN | на замовлення 8520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2040FTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 15297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN2040FTA-79 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 40V 1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 310 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2093FQTA | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2095FQTA | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2097F-7 | Diodes Incorporated | Description: MODULE Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN2097F-7 | Diodes Inc | ZXTN2097F-7 | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN23015CFHTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 15V 6A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN23015CFHTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 15V 6A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN23015CFHTA Код товару: 30309 | Мікросхеми > Драйвери світлодіодів | товар відсутній | ||||||||||||||||||
ZXTN23015CFHTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 120mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 235MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 1.25 W | на замовлення 89561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN23015CFHTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power | на замовлення 4684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN23015CFHTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 15V 6A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN23015CFHTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 15V 6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 120mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 235MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 1.25 W | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EFH (транзистор біполярний NPN) Код товару: 23455 | Zetex | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 260 MHz Uceo,V: 12 V Ucbo,V: 20 V Ic,A: 6 А h21: 1500 Монтаж: SMD | у наявності 24 шт: 24 шт - склад |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EFH 1C3 | DIODES/ZETEX | NPN 12V 6A 1.25W 260MHz ZXTN25012EFH Diodes TZXTN25012efh кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 88 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EFHTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 12V 6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 120mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 1.25 W | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EFHTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 12V HIGH GAIN | на замовлення 4794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EFHTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.81W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EFHTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 12V 6A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN25012EFHTA | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
ZXTN25012EFHTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 12V 6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 120mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 1.25 W | на замовлення 8808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EFHTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 12V 6A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN25012EFHTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 12V 6A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN25012EFHTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.81W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EFLTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25012EFLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EFLTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EFLTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EFLTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EFLTA | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN25012EFLTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25012EFLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EFLTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN25012EFLTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 12V HG Trans. | на замовлення 17765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EFLTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EFLTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 12V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 107680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EFLTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EZ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN25012EZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 12V 6.5A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 130mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 2.4 W | на замовлення 17997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EZTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 6.5A; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 6.5A Case: SOT89 Current gain: 30...1500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 260MHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN25012EZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 185hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EZTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 12V 6.5A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 130mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 2.4 W | на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EZTA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 6.5A; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 6.5A Case: SOT89 Current gain: 30...1500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 260MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
ZXTN25012EZTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTN25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 185hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EZTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 12V HIGH GAIN | на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
ZXTN25012EZTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 12V 6.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній |