Продукція > YJL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
YJL02N10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+5.41 грн
130+ 2.88 грн
400+ 2.2 грн
1080+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 80
YJL02N10AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL02N10AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL02N10A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL02N10A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 2A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL03G10AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
YJL03G10A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL03G10A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL03N04AYangjie Electronic TechnologyYJL03N04A
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6303+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 6303
YJL03N04AYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.3 грн
15000+ 2.07 грн
30000+ 1.92 грн
60000+ 1.73 грн
120000+ 1.53 грн
300000+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL03N06AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
YJL03N06AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 30 V
товару немає в наявності
YJL03N06AYangjie Electronic TechnologyYJL03N06A
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5358+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 5358
YJL03N06AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 30 V
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.5 грн
18+ 16.71 грн
100+ 8.85 грн
500+ 5.46 грн
Мінімальне замовлення: 15
YJL03N06A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.08 грн
12+ 26.24 грн
100+ 14.87 грн
500+ 9.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
YJL03N06A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL03N06AQYangjie Electronic TechnologyYJL03N06AQ
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3062+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 3062
YJL03N06AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.91 грн
15000+ 4.44 грн
30000+ 4.21 грн
60000+ 3.68 грн
120000+ 3.33 грн
300000+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL03N06BYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.58 грн
15000+ 2.35 грн
30000+ 2.21 грн
60000+ 1.95 грн
120000+ 1.75 грн
300000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL03N06BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 30 V
товару немає в наявності
YJL03N06BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 30 V
товару немає в наявності
YJL03N06B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL03N06B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL05N04A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 40V 5A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL05N04A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 40V 5A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL05N04AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.7 грн
15000+ 3.42 грн
30000+ 3.21 грн
60000+ 2.81 грн
120000+ 2.54 грн
300000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL05N06ALYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.78 грн
15000+ 5.28 грн
30000+ 4.92 грн
60000+ 4.35 грн
120000+ 3.95 грн
300000+ 3.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2101WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
товару немає в наявності
YJL2101WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
товару немає в наявності
YJL2101W-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
товару немає в наявності
YJL2101W-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-323
товару немає в наявності
YJL2102WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
YJL2102WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
YJL2102W-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
товару немає в наявності
YJL2102W-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-323
товару немає в наявності
YJL2300AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
YJL2301CYangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.MOSFET SOT-23 P Channel 20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
YJL2301CYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V
товару немає в наявності
YJL2301CYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6303+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 6303
YJL2301CYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 10 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.5 грн
18+ 16.71 грн
100+ 8.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
YJL2301C-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.26 грн
17+ 17.45 грн
100+ 9.26 грн
500+ 5.71 грн
1000+ 3.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
YJL2301C-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 3.4A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL2301CQYangjie Electronic TechnologyYJL2301CQ
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3349+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3349
YJL2301CQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.45 грн
15000+ 4.07 грн
30000+ 3.84 грн
60000+ 3.4 грн
120000+ 3.05 грн
300000+ 2.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2301DYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 6000
YJL2301DYangjie TechnologyDescription: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.53 грн
15000+ 2.37 грн
30000+ 2.22 грн
60000+ 1.94 грн
120000+ 1.73 грн
300000+ 1.6 грн
600000+ 1.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2301DYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
140+2.99 грн
160+ 2.49 грн
460+ 1.91 грн
1240+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 140
YJL2301FYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.35 грн
23+ 13.23 грн
100+ 7.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJL2301FYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 999000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8242+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 8242
YJL2301FYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 327 pF @ 10 V
товару немає в наявності
YJL2301F-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2301F-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 2A SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.26 грн
17+ 17.45 грн
100+ 9.26 грн
500+ 5.71 грн
1000+ 3.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
YJL2301GYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8242+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 8242
YJL2301GYangjie TechnologyDescription: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.84 грн
15000+ 1.7 грн
30000+ 1.55 грн
60000+ 1.39 грн
120000+ 1.25 грн
300000+ 1.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2301GWYangjie Electronic TechnologyYJL2301GW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7143+1.7 грн
Мінімальне замовлення: 7143
YJL2301NYangjie Electronic TechnologyP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8929+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 8929
YJL2301NYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.69 грн
15000+ 1.55 грн
30000+ 1.4 грн
60000+ 1.25 грн
120000+ 1.11 грн
300000+ 1.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2302AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 4.3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 20 V
товару немає в наявності
YJL2302AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 4.3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 20 V
товару немає в наявності
YJL2302AYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.07 грн
15000+ 1.85 грн
30000+ 1.77 грн
60000+ 1.53 грн
120000+ 1.39 грн
300000+ 1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2302A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 4.3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL2302A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 4.3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL2302BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товару немає в наявності
YJL2302BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товару немає в наявності
YJL2302B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL2302B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 3A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL2303A-F2-0000HFYYTransistor N-Channel MOSFET; -30V; 20V; 85mOhm; 3A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; YJL2303A-F2-0000HF TYJL2303A-F2-0000HF
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 300
YJL2304AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
YJL2304AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL2304AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL2304A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL2304A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 3.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL2305AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
130+3.1 грн
180+ 2.17 грн
470+ 1.83 грн
1290+ 1.74 грн
3000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 130
YJL2305A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 15V 5.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL2305A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 15V 5.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL2305BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
товару немає в наявності
YJL2305BYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.8 грн
20+ 15.45 грн
100+ 7.56 грн
500+ 5.92 грн
1000+ 4.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
YJL2305B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.26 грн
17+ 17.6 грн
100+ 9.36 грн
500+ 5.78 грн
1000+ 3.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
YJL2305B-F2-0000HFYYP-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L YJL2305B-F2-0000HF TYJL2305B-F2-0000HF
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2305B-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.4A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL2312AYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.69 грн
15000+ 2.44 грн
30000+ 2.29 грн
60000+ 2.01 грн
120000+ 1.8 грн
300000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2312A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 6.8A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL2312A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 6.8A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL2312ALYangjie TechnologyDescription: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.45 грн
15000+ 3.1 грн
30000+ 2.96 грн
60000+ 2.57 грн
120000+ 2.29 грн
300000+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2312AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.91 грн
15000+ 4.44 грн
30000+ 4.21 грн
60000+ 3.68 грн
120000+ 3.33 грн
300000+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL3134KWYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 0.75A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
товару немає в наявності
YJL3134KWYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 0.75A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
товару немає в наявності
YJL3134KW-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 0.75A SOT-323
товару немає в наявності
YJL3134KW-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 0.75A SOT-323
товару немає в наявності
YJL3400AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
товару немає в наявності
YJL3400AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
YJL3400AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 15 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.96 грн
19+ 15.82 грн
100+ 8.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
YJL3400A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL3400A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.26 грн
17+ 17.6 грн
100+ 9.36 грн
500+ 5.78 грн
1000+ 3.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
YJL3400A-F2-0000HFYYTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 5A; 29mOhm; 12V; 1,3W; -55°C~150°C; Substitute: YJL3400A-F2-0000HF; IRLML6344 SOT23 TIRLML6344 c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 300
YJL3401AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.73 грн
22+ 13.46 грн
100+ 6.57 грн
500+ 5.14 грн
1000+ 3.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
YJL3401AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
YJL3401AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
YJL3401A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL3401A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL3401ALYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
65+6.53 грн
140+ 2.68 грн
425+ 2.04 грн
1160+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 65
YJL3401ALYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.84 грн
15000+ 3.47 грн
30000+ 3.33 грн
60000+ 2.91 грн
120000+ 2.64 грн
300000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL3401AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.91 грн
15000+ 4.44 грн
30000+ 4.21 грн
60000+ 3.68 грн
120000+ 3.33 грн
300000+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL3404AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.38 грн
140+ 2.67 грн
420+ 2.05 грн
Мінімальне замовлення: 120
YJL3404AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A,, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 15 V
товару немає в наявності
YJL3404AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A,, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 15 V
на замовлення 3199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.5 грн
21+ 14.12 грн
100+ 6.9 грн
500+ 5.4 грн
1000+ 3.75 грн
Мінімальне замовлення: 15
YJL3404A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL3404A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 30V 5.6A SOT-23-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.5 грн
18+ 17.08 грн
100+ 9.09 грн
500+ 5.61 грн
1000+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 15
YJL3404AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.07 грн
15000+ 4.66 грн
30000+ 4.36 грн
60000+ 3.82 грн
120000+ 3.47 грн
300000+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL3407AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572 pF @ 15 V
товару немає в наявності
YJL3407AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572 pF @ 15 V
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.26 грн
20+ 14.79 грн
100+ 7.23 грн
500+ 5.66 грн
1000+ 3.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
YJL3407AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.46 грн
28+ 13.53 грн
44+ 8.13 грн
Мінімальне замовлення: 14
YJL3407A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL3407A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 30V 4.1A SOT-23-3L
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.26 грн
17+ 17.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
YJL3407ALYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товару немає в наявності
YJL3415AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.98 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
товару немає в наявності
YJL3415AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.98 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.03 грн
17+ 18.33 грн
Мінімальне замовлення: 14
YJL3415A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.08 грн
12+ 25.95 грн
100+ 14.71 грн
500+ 9.14 грн
1000+ 7.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
YJL3415A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: P-CH MOSFET 20V 5.6A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL3416AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.03 грн
17+ 18.33 грн
100+ 9.74 грн
500+ 6.01 грн
Мінімальне замовлення: 14
YJL3416AYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
YJL3416A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.26 грн
17+ 17.45 грн
100+ 9.26 грн
500+ 5.71 грн
1000+ 3.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
YJL3416A-F2-0100HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 20V 7A SOT-23-3L
товару немає в наявності
YJL40D10
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)