Продукція > TN5
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TN5 | на замовлення 8260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5015H-6G | STMicroelectronics | SCRs High temperature 50A SCRs | на замовлення 2000 шт: термін постачання 126-135 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-6G | STMicroelectronics | SCR Diode 600V 50A(RMS) 493A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6G | STMicroelectronics | SCR 600V 50A(RMS) 493A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-6G | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - TN5015H-6G - Thyristor, 600 V, 15 mA, 30 A, 50 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 60mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 493A usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 30A RMS-Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Zündspannung, max.: 1.3V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Zündstrom, max.: 15mA productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-6G | STMicroelectronics | Category: SMD/THT thyristors Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 50A; 30A; Igt: 15mA; D2PAK; SMD; tube Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 50A Load current: 30A Gate current: 15mA Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Max. forward impulse current: 0.45kA Features of semiconductor devices: high temperature кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6G | STMicroelectronics | Description: SCR 600V 50A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount SCR Type: Standard Recovery Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 15 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 493A, 450A Current - On State (It (AV)) (Max): 30 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.65 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 A Voltage - Off State: 600 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-6G | STMicroelectronics | SCR 600V 50A(RMS) 493A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-6G | STMicroelectronics | SCR 600V 50A(RMS) 493A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6G | STMicroelectronics | Category: SMD/THT thyristors Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 50A; 30A; Igt: 15mA; D2PAK; SMD; tube Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 50A Load current: 30A Gate current: 15mA Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Max. forward impulse current: 0.45kA Features of semiconductor devices: high temperature | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6G-TR | STMicroelectronics | Description: SCR 600V 50A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount SCR Type: Standard Recovery Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 15 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 493A, 450A Current - On State (It (AV)) (Max): 30 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.65 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 A Voltage - Off State: 600 V | на замовлення 34969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-6G-TR | STMicroelectronics | SCR 600V 50A(RMS) 493A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6G-TR | STMicroelectronics | SCR 600V 50A(RMS) 493A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6G-TR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - TN5015H-6G-TR - Thyristor, 600 V, 15 mA, 30 A, 50 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 60mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 493A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 30A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 50A Zündspannung, max.: 1.3V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Zündstrom, max.: 15mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Oberflächenmontage Bauform - Thyristor: TO-263 (D2PAK) Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-6G-TR | STMicroelectronics | SCR 600V 50A(RMS) 493A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6G-TR | STMicroelectronics | Category: SMD/THT thyristors Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 50A; 20A; Igt: 15mA; D2PAK; SMD; reel,tape Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 50A Load current: 20A Gate current: 15mA Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 0.45kA Features of semiconductor devices: high temperature кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6G-TR | STMicroelectronics | Description: SCR 600V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount SCR Type: Standard Recovery Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 15 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 493A, 450A Current - On State (It (AV)) (Max): 30 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.65 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 A Voltage - Off State: 600 V | на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-6G-TR | STMicroelectronics | SCR Diode 600V 50A(RMS) 493A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6G-TR | STMicroelectronics | Category: SMD/THT thyristors Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 50A; 20A; Igt: 15mA; D2PAK; SMD; reel,tape Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 50A Load current: 20A Gate current: 15mA Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 0.45kA Features of semiconductor devices: high temperature | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6G-TR | STMicroelectronics | SCR 600V 50A(RMS) 493A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6G-TR | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - TN5015H-6G-TR - Thyristor, 600 V, 15 mA, 30 A, 50 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 60mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 493A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 30A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 50A Zündspannung, max.: 1.3V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Zündstrom, max.: 15mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Oberflächenmontage Bauform - Thyristor: TO-263 (D2PAK) Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-6G-TR | STMicroelectronics | SCRs High temperature 50A SCRs | на замовлення 962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-6G-TR | STMicroelectronics | SCR 600V 50A(RMS) 493A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6I | STMicroelectronics | Category: SMD/THT thyristors Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 50A; 30A; Igt: 15mA; TO220ABIns; THT; tube Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 50A Load current: 30A Gate current: 15mA Case: TO220ABIns Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 0.45kA Features of semiconductor devices: high temperature | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6I | STMicroelectronics | SCR 600V 50A(RMS) 493A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6I | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - TN5015H-6I - Thyristor, 600 V, 15 mA, 30 A, 50 A, TO-220AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 60mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 493A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 30A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 50A Zündspannung, max.: 1.3V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Zündstrom, max.: 15mA productTraceability: No Thyristormontage: Durchsteckmontage Bauform - Thyristor: TO-220AB Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-6I | STMicroelectronics | SCRs High temperature 50A SCRs | на замовлення 1973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-6I | STMicroelectronics | Description: SCR 600V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole SCR Type: Standard Recovery Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 15 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 493A, 450A Current - On State (It (AV)) (Max): 30 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.65 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-220AB Insulated Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 A Voltage - Off State: 600 V | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-6I | STMicroelectronics | SCR Diode 600V 50A(RMS) 493A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Insulated Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6I | STMicroelectronics | Category: SMD/THT thyristors Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 50A; 30A; Igt: 15mA; TO220ABIns; THT; tube Type of thyristor: thyristor Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 50A Load current: 30A Gate current: 15mA Case: TO220ABIns Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 0.45kA Features of semiconductor devices: high temperature кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6I тиристор Код товару: 204038 | Тиристори > Тиристори, діністори | товар відсутній | ||||||||||||||||
TN5015H-6T | STMicroelectronics | Description: SCR 600V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole SCR Type: Standard Recovery Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 15 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 493A, 450A Current - On State (It (AV)) (Max): 30 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.65 V Current - Off State (Max): 10 µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 50 A Voltage - Off State: 600 V | на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-6T | STMicroelectronics | SCR 600V 50A(RMS) 493A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6T | STMicroelectronics | SCR 600V 50A(RMS) 493A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6T | STMicroelectronics | Category: SMD/THT thyristors Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 50A; 30A; Igt: 15mA; TO220AB; THT; tube Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 50A Load current: 30A Gate current: 15mA Max. forward impulse current: 0.45kA Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high temperature Type of thyristor: thyristor Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-6T | STMicroelectronics | Category: SMD/THT thyristors Description: Thyristor; 600V; Ifmax: 50A; 30A; Igt: 15mA; TO220AB; THT; tube Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 50A Load current: 30A Gate current: 15mA Max. forward impulse current: 0.45kA Kind of package: tube Features of semiconductor devices: high temperature Type of thyristor: thyristor Case: TO220AB | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-6T | STMicroelectronics | SCR Diode 600V 50A(RMS) 493A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-6T | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - TN5015H-6T - Thyristor, 600 V, 15 mA, 30 A, 50 A, TO-220AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES Haltestrom, max.: 60mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 493A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Durchlassstrom, durchschnittlich: 30A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 50A Zündspannung, max.: 1.3V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Zündstrom, max.: 15mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Durchsteckmontage Bauform - Thyristor: TO-220AB Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-6T | STMicroelectronics | SCRs High temperature 50A SCRs | на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-8G-TR | STMicroelectronics | SCRs | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-8G-TR | STMicroelectronics | Description: D2PAK CLIP Packaging: Tape & Reel (TR) | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-8I | STMicroelectronics | SCRs | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-8I | STMicroelectronics | Description: TO 220 I CLIP Packaging: Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5015H-8T | STMicroelectronics | SCRs 50 A 800 V High Temperature SCR in TO-220AB package | на замовлення 326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5015H-8T | STMicroelectronics | Description: TO 220 NI CLIP Packaging: Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
TN502S-TL | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5050H-12PI | STMicroelectronics | SCRs DFD THYR TRIAC & RECTIFIER | на замовлення 511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5050H-12PI | STMicroelectronics | Description: 50 A 1200 V HIGH TEMPERATURE SCR Packaging: Tube Package / Case: TOP-3 Mounting Type: Through Hole SCR Type: Standard Recovery Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Current - Hold (Ih) (Max): 100 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 400A, 420A Current - On State (It (AV)) (Max): 25 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.75 V Supplier Device Package: TOP3 Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 40 A Voltage - Off State: 1.2 kV | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5050H-12PI | STMicroelectronics | TN5050H-12PI SMD/THT thyristors | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5050H-12WL | STMicroelectronics | TN5050H-12WL SMD/THT thyristors | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5050H-12WY | STMicroelectronics | Description: SCR 1.2KV 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole SCR Type: Standard Recovery Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Current - Hold (Ih) (Max): 100 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 580A, 633A Current - On State (It (AV)) (Max): 51 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.55 V Current - Off State (Max): 5 µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - On State (It (RMS)) (Max): 80 A Voltage - Off State: 1.2 kV Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5050H-12WY | STMicroelectronics | TN5050H-12WY SMD/THT thyristors | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5050H-12WY | STMicroelectronics | SCRs 50A 1200V automotive grade SCR | на замовлення 503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
TN509B | на замовлення 397 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5235N8 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5320A | на замовлення 2442 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5325 | API Technologies - Spectrum Control | API Technologies RF AMPLIFIER .450" PACKAGE | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325K1-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325K1-G | Microchip Technology | MOSFETs 250V 7Ohm | на замовлення 27541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325K1-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 150mA; Idm: 0.4A; 360mW Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.36W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.4A Mounting: SMD Case: SOT23-3 Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.15A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325K1-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 150mA; Idm: 0.4A; 360mW Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.36W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.4A Mounting: SMD Case: SOT23-3 Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.15A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325K1-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V | на замовлення 8322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325K1-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - TN5325K1-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 250 V, 150 mA, 7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325K1-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB (SOT23) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325K1-G | Supertex | Transistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 8Ohm; 150mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; TN5325K1-G TTN5325k1 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325KI-G | Supertex | на замовлення 8700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
TN5325N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 215mA; Idm: 0.8A; 740mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 795 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325N3-G Код товару: 183122 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товар відсутній | ||||||||||||||||
TN5325N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.215A 3-Pin TO-92 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.215A 3-Pin TO-92 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325N3-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - TN5325N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 215 mA, 7 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 215mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TN5325 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325N3-G | Microchip Technology | MOSFETs 250V 7Ohm | на замовлення 4677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 215mA; Idm: 0.8A; 740mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.215A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced | на замовлення 795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325N3-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V | на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.215A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325N3-G P003 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325N3-G P005 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325N3-G P013 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325N3-G P014 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325N3-G-P002 | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 215mA; Idm: 0.8A; 0.74W; TO92 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.74W Kind of package: tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.8A Mounting: THT Case: TO92 Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.215A On-state resistance: 8Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325N3-G-P002 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325N3-G-P002 | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 215mA; Idm: 0.8A; 0.74W; TO92 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.74W Kind of package: tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.8A Mounting: THT Case: TO92 Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.215A On-state resistance: 8Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325N3-G-P002 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | на замовлення 1784 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325N8 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5325N8 | Microchip Technology | MOSFET 250V 7Ohm | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 316mA; Idm: 1.5A; 1.6W Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.5A Mounting: SMD Case: SOT89-3 Drain-source voltage: 250V Drain current: 316mA On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 250V 316MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 316mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.316A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.316A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.316A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 250V 316MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 316mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V | на замовлення 3971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.316A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 316mA; Idm: 1.5A; 1.6W Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.5A Mounting: SMD Case: SOT89-3 Drain-source voltage: 250V Drain current: 316mA On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5325N8-G | Microchip Technology | MOSFETs 250V 7Ohm | на замовлення 20483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5325N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.316A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5335K1-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5335K1-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.75A; 360mW; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.75A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5335K1-G | Microchip Technology | MOSFETs 350V 15Ohm | на замовлення 39456 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5335K1-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.75A; 360mW; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.75A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5335K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.11A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5335K1-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V | на замовлення 3617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5335N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.75A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.75A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 897 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5335N8-G | Microchip Technology | MOSFETs 350V 15Ohm | на замовлення 1560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5335N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V | на замовлення 1435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5335N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.75A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.75A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5335N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5335N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5415A | Rochester Electronics, LLC | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 1456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
TN5415A | на замовлення 11630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5415A | ON Semiconductor | Description: TRANS PNP 200V 0.1A TO-226 | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5A | на замовлення 2985 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5AC312 | INTEL | PLCC28 | на замовлення 138 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
TN5AC312 | INTEL | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
TN5AJ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5BL | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5C | на замовлення 7812 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5C060 | PLCC28 | на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
TN5C090 | INT | 00+ PLCC44 | на замовлення 57 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
TN5C090-50 | 07+ | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
TN5C090-50 | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5C090-60 | на замовлення 104 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5CC | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5D | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5D01A-HCC11-E | onsemi | Description: IC REG BUCK ADJ 5A TO220FL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Output Type: Adjustable Mounting Type: Through Hole Number of Outputs: 1 Function: Step-Down Current - Output: 5A Operating Temperature: -10°C ~ 85°C (TA) Output Configuration: Positive Frequency - Switching: 150kHz Voltage - Input (Max): 30V Topology: Buck Supplier Device Package: TO-220F5I5H-HCC Synchronous Rectifier: No Voltage - Output (Max): 4.9V Voltage - Input (Min): 10V Voltage - Output (Min/Fixed): 2.7V | на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5D01A-HCC11-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - TN5D01A-HCC11-E - TN5D01A-HCC11-E, SHIFT REGISTERS tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Ausgang: Einstellbar euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 5267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5D01A-HCC11-E | onsemi | Description: IC REG BUCK ADJ 5A TO220FL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Output Type: Adjustable Mounting Type: Through Hole Number of Outputs: 1 Function: Step-Down Current - Output: 5A Operating Temperature: -10°C ~ 85°C (TA) Output Configuration: Positive Frequency - Switching: 150kHz Voltage - Input (Max): 30V Topology: Buck Supplier Device Package: TO-220F5I5H-HCC Synchronous Rectifier: No Voltage - Output (Max): 4.9V Voltage - Input (Min): 10V Voltage - Output (Min/Fixed): 2.7V | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5D01A-HCC11-E | Sanyo | Description: IC REG BUCK ADJ 5A TO220FL Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Output Type: Adjustable Mounting Type: Through Hole Number of Outputs: 1 Function: Step-Down Current - Output: 5A Operating Temperature: -10°C ~ 85°C (TA) Output Configuration: Positive Frequency - Switching: 150kHz Voltage - Input (Max): 30V Topology: Buck Supplier Device Package: TO-220F5I5H-HCC Synchronous Rectifier: No Voltage - Output (Max): 4.9V Voltage - Input (Min): 10V Voltage - Output (Min/Fixed): 2.7V | на замовлення 5267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5D41A-HB11-E | onsemi | Description: IC REG BUCK 5V 5A TO220FL | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5D41A-HB11-E | onsemi | Description: IC REG BUCK 5V 5A TO220FL | на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5D41A-HB11-E | Sanyo | Description: STEP-DOWN SWITCHING REGULATOR | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5D41A-HB11-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - TN5D41A-HB11-E - TN5D41A-HB11-E, SHIFT REGISTERS tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5D41A-HB11-E | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5D51A-HB11-E | onsemi | Description: IC REG BUCK 12V 5A TO220F5I5H-HB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Output Type: Fixed Mounting Type: Through Hole Number of Outputs: 1 Function: Step-Down Current - Output: 5A Operating Temperature: -10°C ~ 85°C (TA) Output Configuration: Positive Frequency - Switching: 150kHz Voltage - Input (Max): 48V Topology: Buck Supplier Device Package: TO-220F5I5H-HB Synchronous Rectifier: No Voltage - Input (Min): 20V Voltage - Output (Min/Fixed): 12V | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5D51A-HB11-E | Sanyo | Description: IC REG BUCK 12V 5A TO220FI5H-HB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Output Type: Fixed Mounting Type: Through Hole Number of Outputs: 1 Function: Step-Down Current - Output: 5A Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Output Configuration: Positive Frequency - Switching: 150kHz Voltage - Input (Max): 48V Topology: Buck Supplier Device Package: TO-220FI5H-HB Synchronous Rectifier: No Voltage - Input (Min): 20V Voltage - Output (Min/Fixed): 12V | на замовлення 2303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5D51A-HB11-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - TN5D51A-HB11-E - TN5D51A-HB11-E, SHIFT REGISTERS tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES Ausgang: Fest euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5D51A-HB11-E | onsemi | Description: IC REG BUCK 12V 5A TO220F5I5H-HB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Output Type: Fixed Mounting Type: Through Hole Number of Outputs: 1 Function: Step-Down Current - Output: 5A Operating Temperature: -10°C ~ 85°C (TA) Output Configuration: Positive Frequency - Switching: 150kHz Voltage - Input (Max): 48V Topology: Buck Supplier Device Package: TO-220F5I5H-HB Synchronous Rectifier: No Voltage - Input (Min): 20V Voltage - Output (Min/Fixed): 12V | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5D51A-HB11-E | ON Semiconductor | Switching Voltage Regulators EXPD DCDC 12V 5A | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5D51A-R-HCC11-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - TN5D51A-R-HCC11-E - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), 20V bis 48Vin, 12Vout, 150kHz, TO-220F-5 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Fest Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Durchsteckmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 5A Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TO-220F Nennausgangsspannung: 12V usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 150kHz Betriebstemperatur, min.: -10°C Eingangsspannung, max.: 48V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 20V Topologie: Buck (Abwärts) Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 5A Wirkungsgrad: 92% Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5D51A-R-HCC11-E | onsemi | Description: IC REG BUCK 12V 5A TO220F5I5H-HB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Output Type: Fixed Mounting Type: Through Hole Number of Outputs: 1 Function: Step-Down Current - Output: 5A Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Output Configuration: Positive Frequency - Switching: 150kHz Voltage - Input (Max): 48V Topology: Buck Supplier Device Package: TO-220F5I5H-HB Synchronous Rectifier: No Voltage - Input (Min): 20V Voltage - Output (Min/Fixed): 12V Part Status: Obsolete | на замовлення 42434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5D51A-R-HCC11-E | ON Semiconductor | Switching Voltage Regulators EXPD DCDC 12V 5A | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5D51A-R-HCC11-E | onsemi | Description: IC REG BUCK 12V 5A TO220F5I5H-HB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Output Type: Fixed Mounting Type: Through Hole Number of Outputs: 1 Function: Step-Down Current - Output: 5A Operating Temperature: -10°C ~ 85°C Output Configuration: Positive Frequency - Switching: 150kHz Voltage - Input (Max): 48V Topology: Buck Supplier Device Package: TO-220F5I5H-HB Synchronous Rectifier: No Voltage - Input (Min): 20V Voltage - Output (Min/Fixed): 12V Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5D61A-HB11-E | onsemi | Description: IC REG BUCK 24V 5A TO220FL | товар відсутній | |||||||||||||||
TN5D61A-HB11-E | onsemi | Description: IC REG BUCK 24V 5A TO220FL | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5D61A-HB11-E | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5D61A-HB11-E | Sanyo | Description: STEP-DOWN SWITCHING REGULATOR | на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5D61A-HB11-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - TN5D61A-HB11-E - TN5D61A-HB11-E, SHIFT REGISTERS tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
TN5DA | на замовлення 340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5DB | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5DE | на замовлення 62 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5DF | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5DG | на замовлення 1360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5DH | на замовлення 2380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5DI | на замовлення 265 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5DK | на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5DL | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5DM | на замовлення 125 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5DN | на замовлення 86 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5DR | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5DS | на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5DU | на замовлення 127 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5DW | на замовлення 1060 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
TN5DY | на замовлення 125 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |