Продукція > TK0

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK0001RKOREA98+
на замовлення 10010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK010HM00TDKBiometric Sensors ECG sensor Bartype Lite
товар відсутній
TK010HM00TDK CorporationDescription: ECG SENSOR SILMEE BARTYPE LITE
товар відсутній
TK010HM11TDK CorporationDescription: GELPAD FOR SILMEE BARTYPE LITE (
товар відсутній
TK010HM11TDKBiometric Sensors Gelpad for Bartype Lite (30 sheets)
товар відсутній
TK011AM00TDKBiometric Sensors Wristband activity tracker W11
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TK011AM00TDK CorporationDescription: ACCELEROMETER BLUETOOTH
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK01276TOKO
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK01298B-F08J10TLQ
на замовлення 8750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK01298B-F08J10TLQ1-3TOKO
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK01560
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK01563
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK01851
на замовлення 8571 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK020TRIDENT04+ DIP
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK0205800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK0205800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 2POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 2
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товар відсутній
TK02058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK020AM00/BLTDK CorporationDescription: WRISTBAND TYPE VITAL SENSOR SILM
товар відсутній
TK020AM00/BLTDKBiometric Sensors Wristbnd vital sensr W20 long band
товар відсутній
TK020AM00/BSTDKBiometric Sensors Wristbnd vital sensr W20 standard band
товар відсутній
TK020AM00/BSTDK CorporationDescription: WRISTBAND TYPE VITAL SENSOR SILM
товар відсутній
TK0305800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 3POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 3
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Part Status: Active
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товар відсутній
TK0305800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK0326/702378T07+
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK0405800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK04058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK04058000J0GAMPHENOLTK04058000J0G-AMP Unclassified
товар відсутній
TK040N60Z1,S1FToshibaMOSFETs 600V DTMOS6 TO-247 40mohm
на замовлення 120 шт:
термін постачання 70-79 дні (днів)
1+549.44 грн
10+ 454.93 грн
25+ 368.06 грн
50+ 323.14 грн
100+ 289.09 грн
250+ 273.87 грн
500+ 263.01 грн
TK040N60Z1,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: 600V DTMOS6 TO-247 40MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 21.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 300 V
товар відсутній
TK040N60Z1S1F(SToshibaArray
товар відсутній
TK040N65Z,S1FToshibaMOSFETs Power MOSFET 57A 360W 650V
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+832.61 грн
10+ 614.08 грн
30+ 528.18 грн
60+ 478.19 грн
120+ 399.94 грн
270+ 394.87 грн
TK040N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 57A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+802.56 грн
10+ 536.76 грн
100+ 402.94 грн
TK040N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK040N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+886.74 грн
5+ 802.21 грн
10+ 716.87 грн
50+ 652.08 грн
100+ 590.08 грн
TK040N65Z,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK040N65Z,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 57A; Idm: 228A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK040N65Z,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK040N65ZS1F(SToshibaArray
товар відсутній
TK040Z65Z,S1FToshibaMOSFET 360W 1MHz TO-247-4L(T)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+958.56 грн
10+ 794.05 грн
25+ 640.49 грн
100+ 575.28 грн
250+ 547.75 грн
500+ 507.9 грн
1000+ 457.18 грн
TK040Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 57A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+974.2 грн
TK040Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK040Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+988.34 грн
5+ 860.73 грн
10+ 733.13 грн
TK042N65Z5,S1F(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS6 HSD 42MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.85mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 300 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+828.42 грн
10+ 555.02 грн
100+ 417.44 грн
TK042N65Z5S1F(SToshibaArray
товар відсутній
TK050TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,Jack 6.3mm 2pin plug x2; 1.5m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; Jack 6.3mm 2pin plug x2
Version: mono; stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.15mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1157.72 грн
2+ 770.27 грн
4+ 700.99 грн
TK050TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,Jack 6.3mm 2pin plug x2; 1.5m
Type of connection cable: Jack - Jack
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; Jack 6.3mm 2pin plug x2
Version: mono; stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.15mm2
Number of cores: 2
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+964.77 грн
2+ 618.12 грн
4+ 584.16 грн
TK0505800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK05058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK050WV03-001-AKyocera DisplayTFT Displays & Accessories 5.0" TFT Tool Kit w/VGA and DVI
товар відсутній
TK055TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; XLR male 3pin
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+652.5 грн
3+ 433.57 грн
7+ 394.87 грн
TK055TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; XLR male 3pin
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.75 грн
3+ 347.93 грн
7+ 329.06 грн
TK055U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.66 грн
10+ 317.51 грн
100+ 256.88 грн
500+ 214.29 грн
1000+ 183.48 грн
TK055U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 600V DTMOS VI TOLL 55MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+191.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK055U60Z1,RQToshibaMOSFET 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
на замовлення 5571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.4 грн
10+ 364.11 грн
25+ 299.23 грн
100+ 255.76 грн
250+ 241.99 грн
500+ 227.5 грн
1000+ 205.04 грн
TK055U60Z1,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pins
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.97 грн
10+ 335.68 грн
100+ 271.47 грн
500+ 230.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK055U60Z1,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK055U60Z1,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.046 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pins
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+335.68 грн
100+ 271.47 грн
500+ 230.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
TK060TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,RCA plug x2; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: Jack - RCA
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; RCA plug x2
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+919.74 грн
2+ 612.27 грн
5+ 556.98 грн
TK060TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 3.5mm 3pin plug,RCA plug x2; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: Jack - RCA
Cable/adapter structure: Jack 3.5mm 3pin plug; RCA plug x2
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+766.45 грн
2+ 491.32 грн
5+ 464.15 грн
TK0605800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK0605800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 6POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 6
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товар відсутній
TK06058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK065TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug x2,USB C plug; 1.5m; black; 0.08mm2; Cores: 3
Type of connection cable: USB - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug x2; USB C plug
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1870.69 грн
2+ 1706.07 грн
TK065TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; RCA plug x2,USB C plug; 1.5m; black; 0.08mm2; Cores: 3
Type of connection cable: USB - RCA
Cable/adapter structure: RCA plug x2; USB C plug
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 3
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1558.91 грн
2+ 1369.07 грн
TK065N65ZToshibaMOSFET
товар відсутній
TK065N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+489.84 грн
30+ 376.3 грн
TK065N65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK065N65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK065N65Z,S1FToshibaMOSFET 270W 1MHz TO-247
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.14 грн
10+ 457.43 грн
25+ 360.82 грн
100+ 337.63 грн
500+ 284.74 грн
1000+ 250.69 грн
TK065N65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK065N65Z,S1F(SToshibaPower MOSFET (N-ch 500V
товар відсутній
TK065N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+650.22 грн
5+ 505.55 грн
10+ 428.33 грн
50+ 369.81 грн
100+ 310.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK065N65ZS1F(SToshibaToshiba
товар відсутній
TK065U65ZToshibaToshiba
товар відсутній
TK065U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній
TK065U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній
TK065U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.87 грн
10+ 350.72 грн
100+ 256.21 грн
500+ 208.87 грн
TK065U65Z,RQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ
на замовлення 3254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+514.78 грн
10+ 386.61 грн
25+ 328.94 грн
50+ 315.17 грн
100+ 245.62 грн
500+ 221.71 грн
TK065U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 38A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній
TK065U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=270W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+231.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK065U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 38
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.16 грн
10+ 413.7 грн
100+ 366.56 грн
500+ 300.38 грн
1000+ 254.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK065U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.051 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 38
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.051
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+413.7 грн
100+ 366.56 грн
500+ 300.38 грн
1000+ 254.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
TK065U65Z,RQ(SToshibaTK065U65Z,RQ(S
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+230.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK065V01Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT 6.5" VGA
товар відсутній
TK065Z65Z,S1FToshibaMOSFET PWR MOSFET TRANSISTR PD=270W F=1MHz
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+578.18 грн
10+ 525.76 грн
25+ 395.6 грн
50+ 372.41 грн
100+ 353.57 грн
250+ 347.05 грн
500+ 313 грн
TK065Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 300 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.17 грн
25+ 409.57 грн
TK065Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK065Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+624.21 грн
5+ 586.01 грн
10+ 547.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK065Z65Z,S1F(OToshibaPower MOSFET (N-ch 500V
товар відсутній
TK065Z65ZS1F(OToshibaArray
товар відсутній
TK068N65Z5 S1FToshiba TO247 650V 1.69A N-CH
товар відсутній
TK068N65Z5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS6-HSD TO-247 68MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 300 V
товар відсутній
TK068N65Z5,S1FToshibaMOSFETs 650V DTMOS6-HSD TO-247 68mohm
на замовлення 210 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+586.63 грн
10+ 484.93 грн
25+ 392.7 грн
50+ 359.37 грн
TK068N65Z5,S1F(SToshiba TO247 650V 1.69A N-CH
товар відсутній
TK068N65Z5S1F(SToshibaArray
товар відсутній
TK0705800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK07058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK075TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 3pin plug; XLR male 3pin
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+877.8 грн
2+ 583.11 грн
6+ 530.72 грн
TK075TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 3pin plug; XLR male 3pin
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+731.5 грн
2+ 467.93 грн
6+ 442.27 грн
TK07H90AToshibaArray
товар відсутній
TK07H90A
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK07H90A (Q)ToshibaMOSFETs
товар відсутній
TK07H90A(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin TO-3PW
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK080TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 3pin plug,XLR male 3pin; 3m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 3pin plug; XLR male 3pin
Version: stereo
Cable length: 3m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK080TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 3pin plug,XLR male 3pin; 3m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 3pin plug; XLR male 3pin
Version: stereo
Cable length: 3m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
товар відсутній
TK08001N/A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK0805800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 8POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 8
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
товар відсутній
TK0805800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK08058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK0805P34A1BGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK080N60Z1,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: 600V DTMOS6 TO-247 80MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V
товар відсутній
TK080N60Z1,S1FToshibaMOSFETs 600V DTMOS6 TO-247 80mohm
на замовлення 120 шт:
термін постачання 70-79 дні (днів)
1+346.57 грн
10+ 278.29 грн
25+ 223.88 грн
50+ 200.7 грн
100+ 173.89 грн
250+ 163.74 грн
500+ 148.53 грн
TK080N60Z1S1F(SToshibaArray
товар відсутній
TK084V00Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" VGA
товар відсутній
TK084V01Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" VGA
товар відсутній
TK084X00Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" XGA
товар відсутній
TK084X00-001Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" XGA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK085TASKERTAS-TK085 Audio - Video Cables
товар відсутній
TK0905800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK09058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товар відсутній
TK090A65Z,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.69 грн
TK090A65Z,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+386.88 грн
10+ 282.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK090A65Z,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK090E65Z,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.28 грн
10+ 347.02 грн
TK090E65Z,S1XToshibaMOSFETs 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+376.15 грн
10+ 311.62 грн
50+ 226.78 грн
100+ 204.32 грн
250+ 193.45 грн
500+ 184.03 грн
1000+ 174.61 грн
TK090E65Z,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+469.79 грн
10+ 348.68 грн
100+ 282.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK090N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.09 грн
10+ 310.72 грн
TK090N65Z,S1FToshibaMOSFETs 230W 1MHz TO-247
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+511.4 грн
10+ 355.78 грн
25+ 303.58 грн
50+ 289.81 грн
100+ 224.61 грн
250+ 223.16 грн
500+ 199.97 грн
TK090N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+520.99 грн
10+ 404.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK090N65Z,S1F(SToshibaSilicon N Channel MOSFET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK090N65ZS1F(SToshibaArray
товар відсутній
TK090U65ZToshibaArray
товар відсутній
TK090U65Z,RQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.2 грн
10+ 317.45 грн
25+ 205.04 грн
100+ 173.89 грн
500+ 173.16 грн
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+173.03 грн
Мінімальне замовлення: 72
TK090U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.95 грн
10+ 288.3 грн
100+ 208.27 грн
500+ 163.32 грн
1000+ 163.05 грн
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
товар відсутній
TK090U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
товар відсутній
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+160.67 грн
Мінімальне замовлення: 47
TK090U65Z,RQ(SToshibaTK090U65Z,RQ(S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+409.64 грн
36+ 347.17 грн
50+ 264.22 грн
100+ 253.79 грн
200+ 221.28 грн
500+ 186.97 грн
1000+ 181.7 грн
2000+ 174.68 грн
Мінімальне замовлення: 30
TK090U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+261.71 грн
500+ 217.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK090U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.14 грн
10+ 317.8 грн
100+ 261.71 грн
500+ 217.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK090U65Z,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK090U65Z,RQ(SToshibaTK090U65Z,RQ(S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+282.68 грн
46+ 270.54 грн
50+ 260.23 грн
100+ 242.43 грн
250+ 217.66 грн
500+ 203.26 грн
1000+ 198.29 грн
Мінімальне замовлення: 44
TK090U65ZRQ(SToshibaArray
товар відсутній
TK090Z65Z,S1FToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ
товар відсутній
TK090Z65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK090Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Part Status: Active
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+517.28 грн
10+ 337.81 грн
TK090Z65Z,S1F(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK090Z65Z,S1F(OToshibaTK090Z65Z,S1F(O
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+826.45 грн
21+ 602.17 грн
25+ 571.45 грн
Мінімальне замовлення: 15
TK090Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+494.17 грн
5+ 440.53 грн
10+ 389.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK090Z65Z,S1F(OToshibaTK090Z65Z,S1F(O
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+528.98 грн
25+ 506.26 грн
50+ 486.97 грн
100+ 453.65 грн
Мінімальне замовлення: 24
TK090Z65ZS1F(OToshibaArray
товар відсутній
TK095N65Z5,S1FToshibaMOSFETs 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm
товар відсутній
TK095N65Z5,S1F(SToshiba TO247 650V N-CH MOSFET
товар відсутній
TK095N65Z5,S1F(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+481.22 грн
10+ 313.29 грн
100+ 227.82 грн
TK095N65Z5S1F(SToshibaArray
товар відсутній
TK095V65Z5LQ(SToshibaArray
товар відсутній
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+427.25 грн
32+ 384.32 грн
100+ 296.18 грн
250+ 271.53 грн
500+ 231.11 грн
1000+ 193.33 грн
3000+ 184.06 грн
Мінімальне замовлення: 29
TK099V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+181.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товар відсутній
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товар відсутній
TK099V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.28 грн
10+ 300.76 грн
100+ 243.36 грн
500+ 203.01 грн
1000+ 173.82 грн
TK099V65Z,LQToshibaMOSFET 230W 1MHz 8x8DFN
на замовлення 9982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+415.88 грн
10+ 344.12 грн
25+ 282.57 грн
100+ 241.99 грн
250+ 228.23 грн
500+ 215.19 грн
1000+ 184.03 грн
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
товар відсутній
TK099V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.78 грн
10+ 317.8 грн
100+ 256.84 грн
500+ 224.91 грн
1000+ 177.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK099V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+256.84 грн
500+ 224.91 грн
1000+ 177.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK099V65Z,LQ(SToshibaTK099V65Z,LQ(S
на замовлення 2456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+253.62 грн
51+ 243.96 грн
100+ 235.68 грн
250+ 220.37 грн
500+ 198.5 грн
1000+ 185.9 грн
Мінімальне замовлення: 49
TK099V65Z,LQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK099V65Z,LQ(SToshibaTK099V65Z,LQ(S
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+393.81 грн
37+ 333.22 грн
50+ 253.84 грн
100+ 243.76 грн
200+ 212.65 грн
500+ 179.96 грн
1000+ 175.49 грн
2500+ 168.33 грн
Мінімальне замовлення: 32
TK09H90AToshibaToshiba
товар відсутній
TK09H90ATOSHIBA
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK09H90A (Q)ToshibaMOSFET
товар відсутній
TK09H90A(Q)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson=1.3Ohm
товар відсутній
TK09N90A
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK0DT9PCB-L1
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)